简介：钼及钼合金是一种极具应用前景的材料，但钼及钼合金对气体杂质污染敏感，呈现低温脆化、高温氧化的特点，焊接接头韧性、强度等性能较差。因此，国内外学者对其进行了研究。本文综述了钼及钼合金的焊接技术及工程应用，对钼及钼合金焊接中出现的问题进行了总结分析，指出改善接头韧性、防止裂纹和气孔的产生是实现钼及钼合金焊接的关键。

简介：采用加压浸出从钼钴废催化剂中分离钼,在原料摩尔比Na2CO3/Mo=1.3,浸出温度150℃的条件下,钼的浸出率达90%.浸出液经酸化处理后采用N235萃取回收,在有机相为20%N235-10%异辛醇-煤油的条件下,经4级萃取钼的萃取率可达到99.6%.反萃液经酸沉回收钼,产品钼酸铵质量较好.本工艺流程简单、有价金属回收率高、对环境友好.

简介：研究超重力场下铝硅过共晶熔体凝固精炼提纯冶金硅。实验结果表明：超重力作为一种强化分离手段,可以实现铝硅合金中初晶硅颗粒的富集分离。在超重力作用下,铝硅合金中精炼硅颗粒沿超重力方向富集在铝硅合金下部。用王水溶解其中的铝,得到初晶硅颗粒。通过分析初晶硅中杂质含量可知,与冶金硅原样相比,精炼后的硅纯度由99.59%提高到99.92%,硼和磷的质量分数分别由8.33×10-6和33.65×10-6降低到5.25×10-6和13.50×10-6,表明该提纯方法可行。

简介：文章介绍了应用于石油储罐的水性环氧有机硅类防腐涂料，并重点讨论分析了影响其防腐性、耐热性的主要因素，并对其制备的水性环氧有机硅防腐涂料的性能进行了测试研究。

简介：为了确定浸矿菌耐氟的机制,在氟化物存在的条件下,驯化铀矿浸出菌嗜酸氧化亚铁硫杆菌ATCC23270,研究溶液中含不同氟浓度、不同pH值时铀矿浸出菌的活性变化,以及有无蛋白酶K处理时铀矿浸出菌细胞内氟浓度的变化情况。采用铂电极和Ag/AgCl参比电极测量氧化还原电位,以作为细菌不同活性的参照指标,采用氟离子选择性电极测定细胞内的氟浓度。结果表明,真正影响铀矿浸出菌活性的是HF,溶液pH值增加以及溶液中与氟有较强络合能力的离子浓度的变化,也会引起耐氟菌假象的出现。浸矿菌的耐氟能力可能与细胞壁和细胞膜上的一些蛋白密切相关。

简介：轴承座外表及内孔表面多处存在裂纹缺陷；裂纹产生的主要原因为。钢锭内部存在较为严重的树枝状偏析．并伴隧有严重的中心疏松缺陷。使钢锭在锻压时．形成芯部裂纹缺陷。

简介：国家发改委和商务部联合颁布了《外商投资产业指导目录（2007年修订）》，自2007年12月1日起施行。

简介：生产高质量铸件的低压铸造工艺可以用来制造DuralcanA1-SiCp复合材料.添加不同百分含量(质量分数ω分别为9%、15%、20%和25%)的硅,随后可通过低压铸造工艺来铸造复合材料.2mm壁厚、无缺陷、高质量的高硅复合材料铸件也可以通过这种工艺获得.低压铸造工艺铸造出来的复合材料铸件的显微结构显示出颗粒呈均匀的分布,材料具有良好的强度性能.

简介：平板探测器的校正是获取高质量DR图像的前提,本研究针对PE0822非晶硅平板探测器开展了射线DR成像实验研究。当平板探测器预热30min以上时,暗场图像比较稳定。根据坏像素的分类标准,实验测试识别了3121个坏点,并制定了新的坏点位置图,最后从软件上实现了平板探测器输出图像的暗场校正、增益校正和坏像素校正。选用高压I级涡轮叶片进行DR成像实验,实验结果表明：经过暗场校正、增益校正和坏像素校正后,提高了DR图像质量,DR图像灰度介于32000~60000之间,且像质计灵敏度达到了胶片照相的工艺要求,可用于涡轮叶片叶身检测。

简介：为了揭示反应润湿扩散过程的物理本质,提出一种解释其驱动力和润湿机理的能量模型。在真空条件下采用通管滴落法,研究熔融的Al及Cu-Si合金在石墨基板上的反应润湿铺展过程,由轴对称形状分析软件（ADSA）测量摄入图像的接触角。研究典型反应润湿的热力学和动力学过程,推导能量关系的热力学方程,计算石墨表面能和三相线处固-液界面能相对于时间的变化值,并建立关于界面能的动力学模型。借助实验验证该模型的合理性,表明在反应过程中固液界面能随时间呈指数关系下降。从能量角度可为反应润湿过程提供一种新的解释方法。

简介：将合成的假乙内酰硫脲酸（PGA）用作铜-钼分离抑制剂。该药剂闭路实验结果表明：假乙内酰硫脲酸在较小的用量下对黄铜矿有较强的抑制作用,经一次粗选、一次扫选、两次精选,可获得Mo品位大于26%、回收率大于89%的浮选指标,而用Na2S做抑制剂时钼的回收率下降了2%。药剂吸附量测试结果表明,PGA与丁基黄药在矿物表面发生竞争吸附,PGA在黄铜矿表面上的吸附量远大于在辉钼矿表面的。红外光谱分析表明,PGA在黄铜矿表面是化学吸附,而在辉钼矿表面属于物理吸附。前线轨道计算结果表明,在PAG分子中,硫原子是反应活性的中心。利用矿物、丁黄药及PGA的费米能级能量大小可以从电化学作用角来度解释PGA的抑制机理。

简介：大家知道，传统的用片状溶剂合金生产金刚石的做法是将溶剂合金片与石墨片交替叠加放置在由传压介质构成的腔体中，再通过加压加热使部分石墨变成金刚石。这种方法在我国的金刚石生产中已沿用了四十多年。实践证明这种做法有缺点，不能够生产数量多、质量又好的金刚石，而且生产成本也比较高。近年来用粉状溶剂合金与石墨粉混合成型作为原料生产金刚石的方法受到人们的重视，

简介：随着我国半导体工业集成电路（IC）业的快速发展，硅材料加工用金刚石工具具有非常大的市场。本文从硅材料及其加工用金刚石工具与加工技术的发展现状与趋势进行了简要综述。指出了硅材料生产及其加工在半导体与集成电路生产中具有的重大作用与地位。

简介：对一种用于嗜酸性氧化亚铁硫杆菌液氮冷藏新型保护剂GP的保藏效果进行研究。依据最大细胞复苏率及最高亚铁氧化活性确定该新型保护剂的最佳使用浓度。结果表明,保护剂的最佳浓度为30%,在此浓度下细胞复苏率达到84.4%,且能在120h内完全氧化培养基中的亚铁,培养6d后菌体浓度达到5.8×107cell/mL。此外,解冻细胞在9K培养基中培养6d后,对活细胞复苏的最佳GP残留浓度为0.6%（体积分数）。在此浓度下,菌株DC完全氧化亚铁需要108h,并且最终菌体浓度为6.8×107cell/mL.因此,GP是一种简单、有效的嗜酸性氧化亚铁硫杆菌液氮保藏的冷冻保护剂。

简介：水热合成并表征水硅铀矿,在此基础上对水硅铀矿在硫酸体系中的浸出过程进行研究,并将结果与其他相关的合成U4+矿物如氧化铀(UO2)和钛铀矿(UTi2O6)在类似条件下的浸出速率和浸出率进行比较。浸出时间对铀溶出影响的研究表明,水硅铀矿在36~48h被完全浸出,该反应的活化能为38.4kJ/mol。与水硅铀矿相比,氧化铀矿的溶出速率明显较快,可以在3h内达到完全溶出(Ea=42~84kJ/mol)。比较而言,合成钛铀矿的浸出速率较水硅铀矿的明显更低,其144h铀的最大浸出率只有18%。上述3种矿物溶出速率和提取率的显著区别与文献报道相符合,即矿物的可溶出性为氧化铀>水硅铀矿>钛铀矿。在天然水硅铀矿中,由于杂质的存在,其可溶出性可能会被进一步抑制。

简介：本文分析了亚微米金刚石微粉中硅化合物的来源，并提出了一种解决方法。

简介：据科学日报报道，想象一下你想要某个物体一模一样的复制品，再设想下你从口袋里拿出手机，利用手机里集成的3D成像器拍张照，然后发送给3D打印机，在数分钟内你就获得了一个精确的复制品，后者与原始物体的精确误差为微米范同。多亏了美国加州理工学院发明的一种新型、高分辨率的微型3D成像器，这一设想可能很快将变为现实。

简介：河南洛阳栾川钼业集团股份有限公司2016年公司所属澳大利亚北帕克斯（NPM）铜金矿实现可销售铜金属生产量36，749吨，C1现金成本O．81美元／磅；

简介：根据《铟、钼出口许可证申领补充标准和申报程序》，商务部2007年12月19日公布了符合铟、钼出口许可证申领补充标；隹的出口企业名单：株洲科能新材料有限责任公司（铟），成都目缘科技有限公司（钼），哈尔滨松江铜业（集团）有限公司（钼）。目前已经公布的符合铟出口许可证申领标准的企业共19家，符合钼出口许可证申领标准的企业共32家。

简介：为提高硼的去除率，研究了电磁感应精炼过程中硼杂质在CaO-SiO2-BaO-CaF2四元渣和熔硅之间的分配系数LB，讨论了四元渣系中CaO/SiO2质量比、BaO和CaF2含量、熔炼时间对LB的影响规律。结果表明：随着CaO.SiO2渣中BaO和CaF2含量的增大，LB值增大。当CaO/SiO2质量比为1.1:1、BaO和CaF2含量分别为15%和20%时，CaO.SiO2.BaO.CaF2四元渣去除熔硅中硼杂质效果最好，LB达到最大值6.94，并且LB随着熔炼时间的延长而增大。经过两次造渣后，熔硅中硼含量由3.5×10.5降到3.7×10.6，硼的去除率达到89.4%。