简介：

简介：使用新介质材料提高高密度线路(HDW)基板的可靠性。作者采用氰酸酯和碳纤维制造了一种高性能PCB基板，将其性能与FR-4进行了对比，并用有限元模型进行了评估，该材料可显著提高高密度线路(HDW)基板的热性能和力学性能，增加封装的可靠性。

简介：无铅化带来的变动；应用于大电流领域的高导热基板的研究；电选法回收利用废印刷线路板；废旧电脑印刷线路板金属成分溶出的试验研究；深圳市线路板蚀刻废液中铜、砷、铅、汞、镉含量调查；氢氧化铝-氮-磷环氧树脂体系的阻燃性能；纳米碳管的分散对其增强环氧树脂强度的影响；德国WEEE＆RoHS法案回顾暨荷兰废电子电机设备规范解析；含萘和脂环烃结构单元环氧树脂的固化反应及性质；不同原料合成COPNA树脂及其黏结性；环氧树脂的阻燃性研究进展；咪唑促进的含溴环氧树脂／氰酸酯体系共固化反应及其抗氧化阻燃性能研究。

简介：新型耐热、阻燃环氧树脂及固化剂的合成和性能研究本文介绍了几种耐热、阻燃环氧树脂及固化剂的合成，利用各种表征手段对其固化物性能进行了研究，讨论了固化物性能同环氧树脂或固化剂结构之间的关系，并对其中部分固化体系的固化反应动力学进行了详细的研究。以1-萘酚和二环戊二烯（DCPD）为主要原料合成了一种新型含萘环和二环戊二烯环结构的环氧树脂NDEP。

简介：高精电解铜箔环保型表面处理工艺研究；WEEE和RoHS的行业指引效应研究；欧盟WEEE、ROHS、EuP绿色指令对我国相关行业的影响与对策；溴化环氧树脂材料合成新工艺；以聚酰亚胺薄膜为基材的挠性印刷电路用覆铜层压板……

简介：电子玻璃纤维介电性能和工艺参数的研究；镀通孔-孔洞产生的根源和调整方法；挠性印制线路板用特殊电解铜箔；Sn-8Zn-3Bi无铅焊料的表面改性；低熔点无铅焊料的研制。

简介：环氧基PCB对无铅安装的兼容性作者通过PCB在经过无铅再流焊峰温260℃5～6次循环的完好比进行分析后比较了DICY和PN固化环氧基板材料对无铅安装的兼容性，试验结果显示DICY固化环氧基板材料不能经受多次无铅焊料的热应力冲击，同时，板材的设计和再流焊的热梯度也影响最终的安装性能。

简介：新型苯并噁嗪树脂基覆铜板基板的研制；一种新型挠性覆铜板用环氧胶粘剂的研究；应用于积层PCB的低热膨胀系数碳纤维复合材料；铜电解精炼工艺；电解铜箔钛阴极辊筒轴电刷镀银工艺；溴化环氧／Novolacs体系在CEM-3板中的应用；

简介：本文介绍了国内外铜电解乙烯基树脂整体电解槽生产厂家发展状况，电解槽结构、特点、性能及应用情况，对铜电解乙烯基树脂整体电解槽和传统混凝土玻璃钢电解槽进行比较，提出了铜电解槽的发展方向。

简介：2003年上半年全球政治经济形势错综复杂,在世界经济尚处于低谷时,美国对伊拉克动武对经济的复苏产生了一些负面影响,紧随其后SARS疫情的爆发又给中国这个全球经济发展的亮点蒙上了阴影,基本金属的市场行惰难免受到大势的拖累,但是镍的表现异常抢眼,6月初已回升至9550美元/吨的高位,达到了近三年来的高点.2003年上半年LME镍现货平均价为8359美元/吨,比2002年同期上涨了27.8%.

简介：全球玻璃纤维工业从二十世纪三十年代末期诞生至今，在经历了近七十年的坎坷发展历程后，已经成为一门崭新的独立工业体系，逐步渗透到全球各国国民经济的各个工业部门，如交通，建筑，电子，电气，化工，冶金，基础设施，航空航天及军用尖端等工业领域，成为工业发展及科技进步不可缺少的新型工程材料与结构材料．

简介：本文论述了废钢资源的优势及废钢回收、加工过程中产生二次污染的根源，并针对不同污染要素提出了不同的应对防治措施。同时指明了随着我国工业化进程的快速发展及生活水平的提高，越来越多的形形色色的钢铁制品将报废淘汰，在废钢的回收加工处理过程中，若处理不当、控制不严，会造成二次污染。如何有效防治废钢回收加工处理过程中的二次污染，成为废钢产业绿色发展中必须认真面对而不容易忽视的一个重要环节。

简介：紫金矿业集团股份有限公司3月10日发布公告称，公司下属全资子公司金蕴矿业有限公司斥资34亿要约收购澳洲矿业公司IndophilResourcesNL股权的有效期将延长至2010年4月16日下午7时（墨尔本时间）。金蕴矿业在2010年1月18日向Indophil的股东寄发《要约人陈述书》中规定：这次要约收购日期从2010年1月18日开始，于2010年3月19日晚上7点（墨尔本时间）结束。

简介：采用热解处理已合成的聚吡咯纳米线实现一维碳纳米纤维的有效合成。在KOH的活化作用下，原始的纤维结构发生变化，获得带状碳纳米结构。对所合成的碳纳米线及碳纳米带进行形貌及结构表征。测试这两种一维碳纳米材料应于于锂离子电池中负极材料的电化学性能。结果表明，一维碳纳米线及一维碳纳米带均表现出较优的循环性能及良好的倍率性能。碳纳米线材料在循环50次后仍保持530mA·h/g的可逆容量。在前23次充放电循环中，碳纳米带的可逆容量均高于850mA·h/g，充放电循环到第23次的容量保持率为86%。