简介:通过一个简单的水热方法成功地合成出由SnO2纳米片作次级结构的新型花状ZnSnO3-SnO2分级纳米结构。ZnSnO3多面体在生长分级SnO2纳米片的过程中主要起模版作用,制备出的SnO2纳米片的厚度约为25nm。还讨论了ZnSnO3-SnO2样品的形貌随反应时间变化的规律,并且进一步讨论了形成这种分级结构的形成机制。此外,由这种新型ZnSnO3-SnO2纳米结构作敏感材料的气体传感器对乙醇气体具有高灵敏和快响应的特点。ZnSnO3-SnO2纳米片在最佳工作温度270°C时,对50×10-6乙醇气体的灵敏度约为27.8,其响应和恢复时间分别在1s和1.8s内。
简介:本文介绍了一种适应于无铅焊料的电子电路基板,是在传统的环氧树脂和酚醛树脂类固化剂组合成的新型树脂中,加入能遏制树脂组成物热膨胀的无机填料而制成的。研发者研究了该基板中添加的无机填料的种类、形状、分类,包括填料的添加量、粒径大小、分散性等,获得了减少由于低树脂流动性及高钻孔加工磨损性所带来的不良影响,确保了这类基板材料的高耐热性和附着性,并且可实现与普通FR-4同等的除钻污性。上述开发产品与传统基板材料制成的电子线路基板相比,热分解温度降低了20℃,铜箔剥离强度提高了0.1kN/m,热膨胀率减少了6×10^-6/℃,即使在温度循环试验中也具有优异的绝缘性和的导通可靠性。且除钻污性时也可用通用的工序进行加工。