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  • 简介:利用原子力显微镜,同步辐射X射线形貌术和化学腐蚀光学显微等方法深入研究KTiOAsO4晶体缺陷中铁电畴和位错。首次用原子力显微镜给出了用两种腐蚀剂腐蚀过KTA晶体表面的铁电畴和位错蚀坑照片定量信息,如发现铁电畴明区要高于暗区,且两者粗糙度明显不同。这为研究各种晶体生长缺陷开辟一条途径。

  • 标签: KTiOAsO4晶体 原子力显微镜 同步辐射X射线形貌像 铁电畴 位错 激光倍频材料
  • 简介:采用金刚石顶压砧高压装置(DAC)、同步辐射X光源和能散法,CsBr粉末样品进行了原位高压X光衍射实验,最高压力115GPa。观测到在53GPa左右压力下,CsBr最强衍射峰(110)劈裂成两个峰,标志简单立方结构向四方结构转变;在0至最高压力范围内(相应于V/V0为1至0.463)测量了晶轴比c/a;在115GPa内未观测到样品金属化现象。

  • 标签: 结构 相变 CsBr 同步辐射 X射线衍射 溴化铯
  • 简介:在同步辐射3W1A新光束线上,用全反射荧光分析法(TXRF)进行了人体乳腺癌、肺癌、肝癌、胃癌、宫颈癌细胞凋亡前后研究,得到了它们在凋亡前后不同元素荧光谱。从它们结果可以看到,凋亡前后细胞某些微量元素有变化,甚至明显变化。这是否可从改变人体微量元素入手去研究和治疗癌症呢?

  • 标签: 细胞凋亡 同步辐射 TXRF 癌细胞 微量元素 荧光谱
  • 简介:在北京同步辐射实验室XAFS实验站上建立了利用全电子产额方法探测XAFS实验方法。通过测量单色X-射线在样品表面激发出电子产额随X-射线能量变化,提取在吸收边附近XAFS震荡。不同厚度Cu薄膜测量表明,在CuK吸收边附近可观察到信噪比很好XAFS震荡。该探测器设计简单,可以直接在大气下工作。全电子产额XAFS方法建立,有助于导电薄膜和材料近表面结构研究。

  • 标签: 测量 XAFS谱 全电子产额技术 同步辐射 X-射线吸收精细结构 磁控溅射
  • 简介:本文描述GdB5O9、NaGdF4合成结构以及NaGdF4在高温下相转变。粉末衍射数据表明GdB5O9属于四方晶系,其空间群为:I4l/acd,晶胞参数为:α=8.23813。c=33.6377。六方和立方NaGdF4分别NaEuF4和CaF2同构。本文还考察GdB5O9:Eu、六方NaGdF4:Eu、立方NaGdF4:Eu样品真空紫外(VUV)荧光性质.上述三种样品中Gd3+4f-5d跃迁基质吸收位于真空紫外波段。

  • 标签: 稀土硼酸盐 氟化物 结构 VUV荧光性质 粉末衍射 晶胞
  • 简介:用磁控溅射方法制备一系列[C(t)/Cu(2.04nm))In(n=20,30)周期多层膜,利用四端点法、振动样品磁强计研究多层膜电磁性质,样品磁电阻随钴亚层厚度增大有一最佳值t=1.2nm。利用同步辐射掠入射X射线散射(衍射)技术在不同X射线能量下研究耦合多层腹界面结构,探索耦合多层膜中磁电阻增强可能原因。

  • 标签: n周期多层膜 结构 巨磁电阻 磁控溅射 同步辐射掠入射X射线散射
  • 简介:利用电子衍射,X射线衍射和荧光光谱等方法研究LnBaB0O16(Ln=La,Y)结构特性,LnBaB9O16为单斜晶系,其中LaBaB9O16晶胞参数a=1.3660nm,b=0.7882nm,c=1.6253nm,β=106.15°,YBaB9O16晶胞参数a=1.3476nm,b=0.776nm,c=1.6040nm,β=106.38°,荧光光谱研究表明,这两种化合物结构不同,Y^3+在YBaB9O16结构中处于中心对称格位,而LaBaB9O16中La^3+格位则无中心对称性,Gd^3+部分取代LaBaB9O16:Eu^3+中La^3+可改善Eu^3+离子发光性质,LaBaB9O16:Eu^3+在真空紫外区吸收比较弱,这可能与硼氧比较小有关。

  • 标签: 荧光基质材料 硼酸盐 X射线衍射 实验
  • 简介:详细介绍软X射线绝对光强测量系统设计和结构及其标定情况和结果。测量系统包括电离室、监测(或待标定)探测器及其传动系统两部分,可作为50-2000eV软X射线绝对强度测量一级标准探测器,并给出了系统偏差。

  • 标签: 测量系统 软X射线 绝对光强 测量 电离室 标定
  • 简介:介绍利用北京同步辐射实验室全反射X射线荧光谱仪测量生物细胞样品可行性;用此谱仪测量了正常和受辐照小白鼠小肠细胞痕量元素含量,发现K、Ca、Fe等元素含量有明显提高,Cu元素含量明显降低,Mn元素含量变化不大,Zn元素含量基本稳定;讨论其在临床医学上重要价值。

  • 标签: 全反射X射线荧光分析 测量 小肠细胞 痕量元素 临床医学 辐射损伤
  • 简介:X射线低角反射实验技术是测定固体材料表层中杂质原子深度分布有效手段。利用同步辐射X射线反射技术和近年来发展由反射实验数据逆向求解原子深度分布分层逼近法,研究不同温度下分子束外延生长δ掺杂(Sb)Si晶体样品,成功地测量了样品中几个纳米范围内Sb原子深度分布,所得结果表明,300℃以下是用分子束外延方法在Si晶体中生长Sb原子δ掺杂结构合适温度。

  • 标签: Δ掺杂 表层深度分布 锑原子 X射线反射 同步辐射 分层副近法
  • 简介:软X射线计量标准建立和软X射线探测器标定是目前国内急需解决课题,本文简单介绍两套北京同步辐射软X射线装置,它们主要用于软X射线光学元件测量和软X射线探测元、器件标定。另外给出了近年来在软X射线测量装置上开展计量标准和探测器标定方面的研究结果。

  • 标签: 北京同步辐射软X射线装置 软X射线探测器 标定 软X射线 计量
  • 简介:利用同步辐射(BSRF)漫散射站四圆衍射仪,SiC体单晶结构进行了判定以及利用常压化学气相沉积(APCVD)生长3C-SiC/Si(001)中孪晶含量进行了分析。六方{10-15}极图证明了该SiC单晶为6H(H为Hexagonal缩写)结构。3C-SiC外延薄膜,Φ扫描证明了3C-SiC外延生长于Si衬底上,外延取向关系为:(001)3C-SiC//(001)Si,[111]3C-SiC//[111]Si。3C-SiC{111}极图在x=15.8°出现衍射,采用六方{10-10}极图以及基体倒格点111、孪晶倒格点002Mapping分析x=15.8°处产生衍射为3C-SiC孪晶所致,并利用ω扫描估算了孪晶含量约为1%。

  • 标签: X射线四圆衍射仪 SiC体单晶 3C-SiC外延层 孪晶 APCVD 碳化硅