简介：用X射线摇摆曲线和掠入射衍射、透射电镜、原子力显微镜等实验技术研究了MBE方法生长的Si缓冲层生长温度对SiGe／Si异质结结构的影响。结果表明，所研究的SiGe外延层晶格发生完全弛豫，但表面粗糙度和界面失配位错随Si缓冲层的生长温度而变化，最佳生长温度为450℃；缓冲层晶格应变是达到高质量SiGe外延层的主要原因。

简介：利用XRD、TPR和EXAFS等手段考察了焙烧温度对Cu/MnO2/ZrO2催化剂性能影响，结果表明，随着焙烧温度增加，铜的配位环境发生变化，铜和锰之间相互作用增强，有效地防止铜组分在还原及反应过程中聚集长大，从而使催化剂活性显著增加，当催化剂经过高温焙烧，催化剂活性由于ZrO2结晶和铜的聚集而降低。

简介：首次将炭载型CuO/AC用于烟气脱硫，在最经济的烟气脱硫温度窗口（120－250℃）显示出高的脱硫活性，考查了煅烧温度和煅烧后脱硫剂的预氧化对硫脱活性的影响，并对脱硫剂进行了TPD和EXAFS表征。结果表明：经250℃煅烧的CuO/AC脱硫剂具有最高的脱硫活性。200℃煅烧，前驱体Cu(NO3）2未完全分解：高于250℃煅烧，活民生组分CuO被载体C部分还原为金属Cu微晶，从而发生烧结，聚集，以上均导致脱硫剂活性的下降，尽管不同温度煅烧的CuO/AC表现出大的脱硫活性差异，但吸硫后均生成同一反应产物CuSO4,250℃煅烧的CuO/AC脱硫剂Cu以CuO和Cu2O形态存在，其中的Cu2O在200℃很容易氧化成CuO。

简介：在北京同步辐射实验室XAFS实验站上建立了利用全电子产额方法探测XAFS的实验方法。通过测量单色X－射线在样品表面激发出的电子产额随X－射线能量的变化，提取在吸收边附近的XAFS震荡。对不同厚度Cu薄膜的测量表明，在Cu的K吸收边附近可观察到信噪比很好的XAFS震荡。该探测器设计简单，可以直接在大气下工作。全电子产额XAFS方法的建立，有助于导电薄膜和材料的近表面结构研究。

简介：

简介：详细介绍了软X射线绝对光强测量系统的设计和结构及其标定的情况和结果。测量系统包括电离室、监测（或待标定）探测器及其传动系统两部分，可作为50－2000eV软X射线绝对强度测量的一级标准探测器，并给出了系统的偏差。

简介：初步测量了弯曲导管束对“水窗”波段及其附近X光的响应，结果表明X光在“水窗”段的响应，比其之外的响应要高。

简介：采用溶胶－凝胶法制备CoMoO4催化剂，经K助化后分别在空气中于400－800℃下进行焙烧，得到氧化态样品，然后经硫化制得硫化态K－Co-Mo催化剂，对氧化态样品的乙醇分解性能及硫化态样品的CO加氢合成低碳醇的反应性能进行了测试，运用X射线衍射（XRD）和扩展X光吸收精细结构（EXAFS）对样品进行结构表征，乙醇分解性能测试表明，催化剂的表面酸性较弱，且随着焙烧温度的升高变化不大，合成醇性能测试结果则显示，催化剂的焙烧温度升高后，其合成醇的产率逐步降低，但醇选择性基本不变，经400℃焙烧的样品，具有最好的催化活性。结构分析结果表明，氧化态样品中存在多种K-Mo-O物种，且随着焙烧温度的提高，钾铝之间作用增强，样品更难以被完全硫化。

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简介：介绍了利用北京同步辐射实验室的全反射X射线荧光谱仪测量生物细胞样品的可行性；用此谱仪测量了正常的和受辐照的小白鼠小肠细胞的痕量元素含量，发现K、Ca、Fe等元素含量有明显提高,Cu元素含量明显降低，Mn元素含量变化不大，Zn元素含量基本稳定；讨论了其在临床医学上的重要价值。

简介：X射线低角反射实验技术是测定固体材料表层中杂质原子深度分布的有效手段。利用同步辐射X射线反射技术和近年来发展的由反射实验数据逆向求解原子深度分布的分层逼近法，研究了不同温度下分子束外延生长的δ掺杂（Sb)Si晶体样品，成功地测量了样品中几个纳米范围内的Sb原子深度分布，所得结果表明，300℃以下是用分子束外延方法在Si晶体中生长Sb原子δ掺杂结构的合适温度。