简介:在LaAlO3(001)、MgO(001)、SrTiO3(001)衬底以及SrTiO3(001)/PZT(001)种膜上用液相外延方法生长了PZNT薄膜。生长结果表明:在LaAlO3(001)基片PZNT晶粒以三维岛状自发生长。薄膜中有大量的焦绿石异相;在MgO(001)和SrlriO3(001)衬底上,为三维岛状异质外延生长。薄膜中焦绿石异相几乎消失;引入[001]取向的PZT种膜后,岛状三维生长变为二维生长,显著改善了外延膜的质量,获得了完整的PZNT膜。分析了衬底取向对紧邻层纳米尺寸范围的晶粒形成、薄膜晶粒的发育、克服薄膜中异相形成等的影响,总结了获得完整PZNT薄膜的生长条件。
简介:四氧化四银(Tetrasilvertetxoxide,Ag4O4)是一种具有活跃电子、反磁性和半导电性的分子晶体,可与表面裸露的蛋白质-N基(-NH,-NH2)和-S基(S-S,-SH)发生热力学吸附并触发氧化还原反应,改变微生物蛋白质构象而起到抑菌效果,具有潜在应用价值。为了开发基于纳米高价银氧化物的生物医用材料,采用软化学方法制得Ag4O4,并利用扫描电镜、纳米粒度与电位分析仪、X射线衍射仪、热分析仪和激光显微拉曼光谱仪对其理化性质进行了表征,利用抑菌圈法和液体光电比浊法对其抗茵性能进行了评价。结果表明,实验制备的四氧化四银性质完全符合预期,抗茵性能优良,为进一步研制抗菌性能良好的医用材料提供了有益借鉴。
简介:采用金属有机化学气相沉积法在Si(111)衬底上生长了AlN外延层。高分辨透射电子显微镜显示在AlN/Si界面处存在非晶层,俄歇电子能谱测试表明Si有很强的扩散,拉曼光谱测试表明存在Si-N键,另外光电子能谱分析表明非晶层中存在Si3N4。研究认为MOCVD高温生长造成Si的大量扩散是非晶层存在的主要原因,同时非晶Si3N4层也将促使AlN层呈岛状生长。