简介：世界上只有少数国家有镓矿石产出，镓和铜、铟、硒等元素均应用于太阳能电池和半导体激光器等新处理、新器件，属于稀缺资源。据日本媒体《日刊工业新闻》报道，日本法政大学明石孝也教授的研究组开发出以高浓度从矿石等物质中提取微量金属镓的技术。除矿石外，利用该技术也可以从废旧电子设备等镓含量较少的物质中回收金属镓。

简介：集成电路工业从一开始就在使用离子注入技术。如果不利用离子注入的固有的精确性就很难制造极大规模集成电路（VLSI）。特别是离子注入可精确地调整MOSFET的阈值电压。离子注入有三大优点：能达到晶片表面上掺杂剂均匀分布、可精确控制掺杂剂的深度及其分布、可精确控制掺杂剂密度。这些优点催生了所谓“掺杂剂分布工程”，它对早期CMOS的研制成功是一个关键因素。如果没有离子注入就不会有CMOS工艺的快速发展也就不会对我们的生活产生如此深刻的影响。

简介：近日，澳大利亚Macquarie大学的金大勇教授领导的先进细胞仪实验室与北京大学工学院生物医学工程系席鹏课题组联合攻关，发现了新的纳米光子学发光机制，并实现了高浓度掺杂的上转换纳米粒子技术，从而展示了迄今最灵敏的纳米荧光材料。相关论文发表于自然出版集团的《自然－纳米技术》。

简介：通过添加适量的添加剂，采用正交试验方法，研究了高氯化铵质量浓度下在Q235钢基体上低温电镀Ni-P合金的工艺参数。实验得出最佳工艺条件为：NiSO4·6H2O40g／L、NaH2PO2·H2O30g／L、H3BO315g／L、NH4Cl32g／L、添加剂T10．12g／L、添加剂T20．03g／L、添加剂T30．1g／L、施镀温度45℃、电流密度0．015A／cm2、pH=4。最佳工艺条件下所获镀层的EDS分析表明，镀层由靠近基体部位到镀层表面部位，P质量分数变化情况为6．61％→7．18％→8．73％。随着离基体距离的增大，镀层显微结构由晶态向微晶转化，最后为完全非晶态。

简介：国家863计划集成电路制造装备重大专项“100nm高密度等离子体刻蚀机和大角度离子注入机”，9月28日在北京通过了科技部与北京市组织的项目验收。这是我国国产主流集成电路核心设备产品第一次实现销售，标志着我国集成电路制造核心装备研发取得了重大突破，在该领域自主创新和产业化上又迈出了可喜的一步。