简介:O484.42003021190稀土Nd,Ce掺杂硅基薄膜光致发光特征=PhotoluminescencepropertiesinNd,Ce-implantedSi-basedfilms[刊,中]/元美玲(南昌大学物理系.江西,南昌(330047)),刘南生…//发光学报.—2002,23(3).—291-295测量了Nd,Ce稀土离子注入Si基晶片,在不同离子注入剂量、不同退火条件下的室温光致发光(PL)谱,结果表明它们均具有蓝、紫发光峰,且发光稳定。在一定范围内发光效率随掺杂浓度的增加而增大,随退火条件的不同而改变。运用原子力显微镜(AFM)对样品的表面形貌进行了观察,结果显示,样品表面颗粒大小、粗糙度将影
简介:O484.12003053737铌酸锶钡薄膜的微结构与电光性能的研究=Microstructureandelectroopticalpropertiesofstrontiumbariumniobatethinfilm[刊,中]/叶辉(浙江大学现代光学仪器国家重点实验室.浙江,杭州(310027)),MelanieMTHo…//光学学报.-2002,22(10).-1170-1175叙述了使用溶胶-凝胶法在MgO(001)的衬底上制备铌酸锶钡薄膜的过程,膜层厚度可达5μm。通过X射线衍射、摇摆曲线、(?)扫描、喇曼散射光谱等方法研究了薄膜的微结构性能,实验发现,铌酸锶钡薄膜具有了较好的
简介:对偶极子天线进行集总参数等效电路建模,通过实验与数值模拟对等效电路的输出响应结果进行对比分析。研究结果表明:偶极子天线集总参数等效电路可用于分析偶极子天线带外响应问题,适用的频率范围为直流至偶极子天线的第二谐振点。当入射电磁脉冲的频谱范围位于该频率范围内时,可采用集总参数等效电路分析计算天线的输出响应;若入射电磁脉冲频谱超出该频率范围时,则由等效电路计算得到的输出响应波形将发生明显畸变,即该等效电路将不适于研究天线的带外高频问题。该研究结果明确了集总参数等效电路的适用频率范围,将有助于准确地应用集总参数等效电路来分析电磁脉冲与天线的响应问题。
简介:通过浸渍法在中孔γ-Al2O3膜上制备出V-P-Co-Ce-O多组分金属氧化物催化膜,将之应用于非燃料电池型催化膜反应器并研究其可行性及正丁烷制顺丁烯二酐的反应特性。考察了反应温度、空速和吹好气流速对催化活性的影响,对膜反应器的稳定性也进行了简单的测试。实验证明,与固定床相比,膜反应器具有更高的反应转化率和选择性。