简介:通过建立一个典型的金/硅界面结构模型,对X射线入射界面时的剂量增强效应进行了研究。采用MonteCarlo方法计算了不同能量X射线入射金/硅界面的输运过程。其中,对X射线产生的次级电子在介质中的输运,采用了单次碰撞直接模拟方法;对电子的弹性散射截面和非弹性散射截面,分别采用Mott微分截面和Born近似下的广义振子强度模型计算得到。研究计算了不同能量X射线入射下,金/硅界面的剂量增强系数及特定X射线能量下剂量增强系数随金厚度的变化规律。结果表明:X射线能量为几十至几百keV时,剂量增强效应最明显,最大剂量增强系数对应的X射线能量随距金/硅界面的距离增加而增加;金的厚度影响界面附近剂量增强效果,当X射线能量不变时,剂量增强系数随金的厚度增加而增加,并趋于饱和值。
简介:为研制具有较宽频带微波吸收性能的材料,采用机械合金化法制备CoxFe80-xSi20(x=0,6,10,14摩尔百分数)合金粉体,使用SEM、XRD和矢量网络分析仪等测试手段,研究了合金粉体微观结构及Co-Fe-Si合金微波吸收性能。结果表明:制备的合金粉末呈片状,主要由-Fe相组成;Co的添加使Co-Fe-Si合金出现两个微波吸收峰。在较高频段处的微波吸收峰值随Co的添加先增大后减小。在涂层厚度为1.8mm时,x=10的合金低频处的反射率最小值最小,合金吸波峰频率和峰值分别为6.2GHz和-14.8dB,合金在高频处吸波峰频率和峰值分别为18GHz和-8.8GHz,合金反射率低于-5dB的带宽达14GHz,具有良好的微波吸收宽频效应。
简介:建立了单粒子多位翻转的测试方法和数据处理方法,在此基础上开展了体硅90nmSRAM重离子单粒子多位翻转的实验研究。通过分析单粒子多位翻转百分比、均值、尺寸等参数随线性能量转移(linearenergytransfer,LET)的变化关系,表明了纳米尺度下器件单粒子多位翻转的严重性,指出了单粒子多位翻转对现有重离子单粒子效应实验方法和预估方法带来的影响。构建了包含多个存储单元的全三维器件模型,数值模拟研究了不同阱接触布放位置对单粒子多位翻转电荷收集的影响机制,表明阱电势扰动触发多单元双极放大机制是导致单粒子多位翻转的主要因素,减小阱接触与存储单元之间的距离是降低单粒子多位翻转的有效方法。