简介:介绍了当前3G成熟的CDMA技术和未来4G的核心技术OFDM的基本原理和各自优缺点,分析了CDMA和OFDM两种不同技术的应用侧重,同时指出了两种技术融合的前景及前沿拓展。
简介:本文介绍了意法半导体公司(STMicroelectronics)首次提出的1200V/20A的SiCMOSFET,并与1200V常闭型SiCJFET(结型场效应晶体管)和1200VSiCBJT(双极结型晶体管)作了对比。我们全面比较了三种开关器件工作在T=25℃、电流变化范围1A~7A的动态特性,并在T=125℃、I_D=7A条件下做了快速评估。尽管SiCMOSFET的比通态电阻(Ron*A)很高,但与另外两种器件相比仍被认为是最有前景的开关器件:SiCMOSFET的总动态损耗远远低于SiCBJT和常闭型SiCJFET,且驱动方案非常简单,因此在高频、高效功率转换领域中SiCMOSFET是最好的选择。
简介:国际功率半导体器件与功率集成电路会议(InternationalSymposiumonPowerSemiconductorDevicesandICs.,缩写为ISPSD)是美国电气与电子工程师协会主办的不带地区色彩的国际性学术会议。例如,2001年会议收到论文的地区分布比例为欧洲23%,北美25%,亚洲14%,日本38%。会议地点在北美、欧洲、日本三地轮流举行,每年依序更换,