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  • 简介:本文介绍有关大面积IGT(集成门极换流晶闸管)改进安全工作区(SOA)的三个概念:优化门极电路;通过优化掺杂浓度分布和辐照来改进局部安全工作区;借助于辐照来补偿横向效应。局部SOA的优化同改进门极电路相结合,会使创记录的阻断SOA达到1MW/cm2的开关功率密度。所有三项措施结合起来,就可以使大面积IGCT安全工作区(SOA)的改进超过30%。

  • 标签: 大面积IGCT 安全工作区 优化门极电路 改进局部安全工作区 补偿横向效应
  • 简介:VishayIntertechnology。Inc.推出新型20Vp通道TrenchFET功率MOS—FET—VishaySiliconixSi8445DB.该器件采用MICROFOOT芯片级封装,具有业界最小占位面积以及1.2V时业界最低的导通电阻。

  • 标签: 功率MOSFET 通道 面积 占位 MICRO 芯片级封装