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Vishay推出最小占位面积的新型20VP通道TrenchFET功率MOSFET

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摘要 VishayIntertechnology。Inc．推出新型20Vp通道TrenchFET功率MOS—FET—VishaySiliconixSi8445DB．该器件采用MICROFOOT芯片级封装，具有业界最小占位面积以及1．2V时业界最低的导通电阻。

DOI kd2n5glxd6/613038

作者

机构地区不详

出处《电子元器件应用》 2008年8期

关键词功率MOSFET 通道面积占位 MICRO 芯片级封装

分类 [电子电信][电路与系统]

出版日期 2008年08月18日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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来源期刊

电子元器件应用

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功率MOSFET 通道面积占位 MICRO 芯片级封装

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