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12 个结果
  • 简介:随着高频通信技术的不断发展,高频特种印制电路板的需求越来越多。聚四氟乙烯(PTFE)材料以其良好的耐高温耐老化以及低损耗而著称,是目前用量最大的高频特种印制板类型。但由于PTFE材料独特的物理化学性能,导致其机械加工难度大。在钻孔过程中,如果钻孔参数设置不当,极易出现孔壁粗糙、铜瘤等不良问题。本文选用业内常用的PTFE+玻璃布和PTFE+玻璃布+陶瓷填充两种类型的材料,通过正交试验方法,对其钻孔参数进行分别进行分析和研究,从而得出最优的参数组合,有效解决了PTFE材料在钻孔过程中产生的孔壁粗糙、铜瘤等不良问题,为业内同行加工PTFE材料提供参考。

  • 标签: 聚四氟乙烯 钻孔 孔壁粗糙 铜瘤
  • 简介:等离子技术在印制电路领域已经广泛应用。主要应用于清洁、除胶、活化和凹蚀,其中除胶应用最广泛。文章首先在理解等离子蚀刻机理的基础上,对等离子蚀刻均匀性进行了研究,研究结果显示:影响等离子蚀刻均匀性的主要因素有边际效应、流量效应和周边气体效应,三者使等离子蚀刻呈“W型分布”。文章对“W型分布”机理进行了理论解释,并利用“W型分布”理论对等离子设备腔体的挡板及装板方式进行了优化。改善后等离子蚀刻均匀性由62.7%提升到了89.7%。文章还对等离子去钻污参数进行了研究。通过优化去钻污参数,等离子层间分离报废由23.9m^2/月降至0.49m^2/月,改善效果明显。

  • 标签: 等离子 去钻污 均匀性 印制电路板
  • 简介:高锰酸钾去钻污法是目前除胶渣流程广泛使用的方法,具有稳定性好,经济高效,便于操作等优点。随着各个PCB生产企业生产流程和工艺的不同,所采用的浸槽时间也不尽相同,溶胀与去钻污时间配合不好,会造成孔内钻污去不净或者过蚀的现象,所以正确掌握溶胀与去钻污的配合时间对PCB生产企业有着重要的意义。

  • 标签: 速率控制 强氧化剂 膨松 SWELL 空白试验 数据分析
  • 简介:对比流变仪不同参数设置(包括升温速率、法向力、扭动频率、振幅)、树脂不同半固化程度、填料体积百分比、填料种类条件下环氧树脂的流变曲线变化,最终优化出了流变仪的最佳设置参数,找出了不同影响因素条件下环氧树脂的流变性变化规律。

  • 标签: 流变 环氧树脂 模量 覆铜板
  • 简介:悬空引线的制作是挠性印制线路板制作的难点之一,需要在基材的某些区域蚀刻掉PI(聚酰亚胺)基材来满足设计的要求。目前采用的在基材上开窗口的方法有机械冲切、数控铣、化学试剂蚀刻法和等离子蚀刻法等。其中,等离子蚀刻法加工精度高、操作简便、清洁环保,但由于运行成本相对较高使其生产应用受到了限制。本文通过正交设计试验优化等离子蚀刻PI的参数,以达到充分利用气体、缩短等离子蚀刻时间的目的,从而大大降低等离子蚀刻过程的成本。并最终完成悬空引线的制作。

  • 标签: 等离子蚀刻 正交设计 悬空引线
  • 简介:文章采用微观电子分析方法,对不同特性干膜及对应的前处理超粗化微蚀药水对铜面咬蚀程度进行比较,结合两者的特点作针对性的分析,通过实验验证,从而找到图电工艺产品在前处理使用超粗化时线条边缘点状渗镀的根因,为实际生产中出现线条及大铜面边缘点状渗镀导致的线边不齐提供改善的方向。

  • 标签: 微蚀量 温度 曝光能量 流动性
  • 简介:随着航空客户对产品焊接后可靠性的严格要求,表面涂覆HAL的铅锡厚度均匀性的要求越来越高,部分产品的铅锡厚度范围要求达到了2-25um,更有甚者铅锡厚范围要求达到了2.5-20um的水平,而目前业界的锡厚0.5-50um的能力已经很难满足客户的需求。本文主要从设备的改造入手,服务于工艺参数的调整来做介绍,通过工艺参数的优化实验,详细阐述各工艺参数的调整对锡厚和锡面均匀性的影响,并结合实际的生产环境得出较优化的生产参数使锡厚能够满足更多的客户需求。

  • 标签: 设备改造 工艺参数 锡厚 锡面均匀性
  • 简介:文章通过匹配Tobin模型等计量模型与最优控制模型.计算不同铜厚要求的印制电路板的电流密度和电镀时间最优水平,进而建立各批印制电路板订单的电流密度和电镀时间的数学模型。并将该模型嵌入公司ERP系统。以提高电镀工作效率。同时达到降低生产成本的目的。

  • 标签: 数学模型 变量 电镀参数 最优的
  • 简介:由于沉镍金工艺存在有黑盘的缺陷,所以一些板件的表面处理兼有沉镍金和OSP,即选择性沉金;在进行OSP表面处理时,OSP面需要先进行微蚀处理,而已完成沉镍金的地方同样会经过微蚀段,微蚀及不同的微蚀量对金面是有一定的影响的;本文通过制作不同沉金时间的板件,试验不同微蚀量处理后金面的受攻击情况。

  • 标签: 沉镍金 OSP 微蚀
  • 简介:DiMog半导体公司日前宣布,首次推出两款纳安级电源PMIC—DA9230和DA9231。这两款新的PMIC在降压电路激活,并且在没有负载的条件下,仅消耗750nA总输入电流。它们是目前市场上同类别尺寸最小的PMIC,帮助持续运行的物联网应用实现更长的运行时间和更高的效率。

  • 标签: 运行时间 物联网 续航时间 电源 电池 半导体公司
  • 简介:瑞萨电子株式会社日前推出的R—CarV3M入门套件可以简化并加速开发新车评估项目(NCAP)的前置摄像头应用、环视系统和激光雷达。新入门套件以R—CarV3M图像识别SoC为基础,为日益增长的NCAP前置摄像头市场提供兼顾低功耗和高性能的方案。通过将R—CarV3M入门套件与支持软件和工具相结合,系统开发人员可轻松开发前置摄像头应用,从而有助于减少开发工作量、缩短产品上市时间

  • 标签: NCAP 上市时间 摄像头 入门级 开发 前置