简介：华为近日在伦敦TNMO论坛（TransportNetworksforMobileOperatorsforum）上发布了一款针对城域网的新型光子集成器件（photonicintegrateddevice，PID）。华为这一新的PID方案采用了先进的调制格式和数字信号处理（DSP）技术，能够提供具备成本效益的大容量光纤传输，支持40G、100G、400G及更高传输速率。结合色散管理技术，

简介：由于更多的因素,先进的表面安装技术(SMT)要求采用比热风整平(HASL)得到的更好平整度的焊盘和更精细间距导体,才能满足需要。这种平整度技术应当不牺牲锡/铅使用期限和可焊性的一些特性为代价。经过很多的研究,包括有机涂层、浸镀锡,在铜上化学镀镍或镀金,但最广泛采用的一种过程是在化学镀镍8～10μm

简介：使用喷墨打印技术制得了高质量的导电银电极，并制备了高性能的有机晶体管器件与简单电路。经优化的喷墨银电极表面形貌光滑、一致性好、电导率高。通过限制墨滴在打印基底上的浸润能力，可以有效减小电极间的沟道长度。基于这种高质量打印银线的短沟道有机晶体管和简单“非”门电路均展示出了很好的电学性能。

简介：随着半导体器件特征尺寸的不断缩小,器件之间的隔离区域也随之要进行相应的缩小。在0.35μm以上的集成电路制造工艺中应用最广泛的隔离技术是LOCOS(localoxideisolate)技术。该工艺虽然发展历史比较悠久、工艺也比较成熟,但是由于采用了场氧化工艺,所以氧化膜的深度以及由于氧化而在场区边缘的有源区域上产生的鸟嘴效应都限制了这一技术的进一步应用。而浅沟槽隔离(STI:shallow

简介：在近日召开的IEEE国际电子设备会议上，IBM的科学家们展示了一系列突破性的科研成果，这将会大大推动更小、更快、更强处理器芯片的研发。

简介：TriQuint半导体公司推出四款具有卓越增益和效率，并且非常耐用的新氮化镓（GaN）HEMT射频功率晶体管产品。TriQuint的氮化镓晶体管可使放大器的尺寸减半，同时改进效率和增益。这些新的氮化镓晶体管可在直流至6GHz宽广的工作频率上提供30—37W（CW）射频输出功率。

简介：Diodes公司推出ZXTR2000系列高压稳压器，把晶体管、Zener二极管及电阻器集成到一个标准SOT89封装，通过减少器件数量和占位面积，提升电路的功率密度。这些器件主要用于网络、电信和以太网供电（PoE）应用，可以有效地为48V直流一直流电源的变压器初级端控制器调节电压。