简介:SiGe(硅锗合金)BiCMOS工艺集成技术,是在制造电路结构中的双极晶体管时,在硅基区材料中加入一定含量的锗,形成应变硅异质结构晶体管,以改善双极晶体管特性的一种硅基工艺集成技术。对硅锗合金BiCMOS工艺的核心器件——锗硅异质结双极晶体管SiGeHBT的关键工艺模块,包括收集区、基区、发射区和深槽隔离的器件结构与制作工艺进行了研究与探讨。对常用的3种SiGeBiCMOS工艺集成技术BBGate工艺、BAGate工艺和BDGate工艺,进行了工艺集成技术难点与关键工艺方面的研究,并比较了各种工艺流程的优缺点及其适用范围。
简介:<正>根据德国一项调查显示,2010年全球纳米技术创造的市场将达1万4400亿美元,而即将于今年七月十日创刊的日本《周刊纳米技术》编辑部所做的调查,则推估2010年纳米技术全球市场规模约为167亿美元,虽然两者数字差距颇大,但从绝对值来看,却是十分诱人。由于纳米技术应用领域相当广泛,包括材料科学、生命科学、信息电子、能源科学及环境科学等,目前世界各主要国家都争相发展纳米科技,纳米技术俨然成为下一代最重要的新兴关键科技。日本是全球最早投入大量资源从事纳米技术研究开发的国家之一,从目前的基础研究与应用成绩来看,日本在纳米技术总体实力领先欧美,甚至在许多领域还凌驾于美国之上,纳米碳管及纳米锥角(CarbonNanoHorn)都是由日本科学家饭岛纯男首
简介:随着半导体大功率器件的发展,芯片的散热一直是制约功率器件发展的因素之一。而器件内部散热主要是通过芯片背面向外传导,芯片焊接工艺是直接影响器件散热好坏的关键因素之一,合金焊料的一个显著优点就是其导热性能好,因此在散热要求高的大功率器件中使用较为广泛(如Au80Sn20、Au99.4Sb0.6等),但由于合金焊料烧结后会产生较大的残余应力,在尺寸大于8mm×8mm的芯片上,烧结工艺应用较少。文章针对11.5mm×11.5mm超大面积芯片进行金锡合金烧结试验,经过对应力产生的原因进行分析,从材料、封装工艺等方面采取措施来降低缓释应力,并对封装产品进行可靠性考核验证。试验结果表明,没有芯片存在裂纹、碎裂现象,产品通过了可靠性验证。