简介:全包封功率器件相对于半包封功率器件更容易达到安规要求,其需求出现了逐渐增加的趋势,但是全包封器件的分层问题一直困扰着业界。通过分层现状的调查,分析了分层存在的界面和产生原因,通过优化试验找到了解决分层最有效的措施是中大芯片表面缓冲层,从而使全包封功率器件的可靠性达到更高要求。
简介:一个主要的挑战在GAN型太阳能电池的设计是孔的缺乏与多量子威尔斯电子相比(多量子阱)。我们发现,GaN基量子阱光电器件具有五种不同Mg掺杂浓度的0时,5×1017cm-3,2×1018cm-3,4×1018cm-3和7×1018cm-3的GaN障碍可导致量子威尔斯不同的空穴浓度(量子阱)。然而,当Mg掺杂浓度超过1×1018cm-3,晶体质量下降,从而导致外量子效率的降低(EQE),短路电流和开路电压。作为一个结果,一个轻微的Mg掺杂5×1017cm-3的具有最高的转换效率浓度的样品。
全包封功率器件中大芯片表面分层的分析
影响Mg掺杂浓度对InGaN太阳能电池的特性