简介：从NGN标准提出以来，全球许多标准化组织展开了许多NGN的标准化研究工作，对促进NGN标准的制定和完善起到了重要作用。

简介：<正>首先,简单介绍一下SLM技术,它是英文selectivelasermelting的缩写,即"选择性激光熔化"。其成型过程是将喷嘴喷出的粉末材料通过激光逐层熔化,然后凝固并堆积得到最终的产品实体。SLM技术优势明显那么,通过这项技术制造或者说打印效果如何呢?可以通过下面这些指标数字来说明。首先是较低的粗糙度,未经任何处

简介：MCM封装是多芯片组件，它可以将裸芯片在z方向叠层，更加适合电子产品轻、薄、短、小的特点。介绍了MCM封装技术的3种分类——MCM-L、MCM—C及MCM—D。其中MCM—L成本低且制作技术成熟，但热传导率及热稳定性低。MCM—C热稳定性好且单层基板价位低，但难以制成多层结构。MCM-D为薄膜封装技术的应用，它也是目前电子封装行业极力研究、开发的技术之一。最后讨论了MCM封装技术在多芯片组件等方面的最新进展。

简介：摘要肥胖谈论是一种关于身体外貌交流的社会现象，特别是指女性之间关于外貌、体型、饮食习惯和锻炼通常以自我贬损的形式出现的谈话。达尔文的进化论,从众理论，自我客体化理论等都能对其做一定的解释，具有历史背景和理论基础。在目前的国内外相关研究中，质性研究和量化研究都有很多的成果，对肥胖谈论概念的界定、范围的规范、可能的诱发因素，参与肥胖谈论的各种范式研究，肥胖谈论对身体意向、饮食失调、情绪等带来的消极影响都有一定的成果。元分析和跨文化研究也在进行中，未来的研究应增加对肥胖谈论的纵向研究、继续深入跨文化研究、规范更多的实验范式，多讨论肥胖谈论的积极作用。

简介：<正>在2003年8月底举行的日本应用物理学会秋季会议上,日本的一些知名公司和大学报告了其最新GaN基器件研究概况。三菱电气公司描述了用5分钟600℃快速热退火来减小AlGaN/GaNHEMT器件的肖特基栅泄漏。最大漏电流为1A/mm,gm为140mS/mm的HEMT的关断电压由105V提高到178V。德岛大学的一个研究小组报告了他们

简介：本文综述了我国超声波清洗技术发展状况,介绍了超声波清洗特点和机理、超声波清洗技术参数的选择、超声波设备的组成以及超声波技术的最新进展.

简介：1．引言从2004年开始，3G技术的商用化进程逐渐加快。随着Vodafone于2005年6月3日在新西兰开通WCDMA（UMTS）商用网络，在全球范围内，67个国家共建成了150个3G商用网络，其中有64个WCDMA网络、17个cdma20001xEV-DO网络和69个cdma20001X网络。与此同时，3G用户也获得了持续增长，截止到2005年4月底，全球范围内共有1．78亿3G用户，WCDMA系统已经发展了2550万用户，cdma20001xEV-DO系统也拥有了1290万用户。

简介：用户对多媒体通信业务需求的增加，使得通信系统对无线频谱资源的需求也不断增加。近年来出现许多无线通信理论与技术，如链路自适应、正交频分复用（OFDM）以及多输人多输出（MIMO）技术等，以解决无线频谱资源紧张的问题。这些技术在一定程度上提高频谱利用率，但其提高的程度有限，远远不能满足用户的通信需求。认知无线电技术的提出，为解决频谱资源不足、实现频谱动态管理及提高频谱利用率提供了强有力的技术支撑。

简介：大规模天线是5G的关键技术之一,能够显著的提升系统覆盖和容量。为了推动大规模天线技术的发展,系统总结并分析了大规模天线的标准化进展,包括多天线方案、波束管理、信道状态信息获取以及参考信号设计,为进一步研究大规模天线提供参考。

简介：薄膜晶体管是液晶显示器的关键器件，对显示器件的工作性能具有十分重要的作用。本文论述了薄膜晶体管的发展历史，描述了薄膜晶体管的工作原理，分析了非晶硅薄膜晶体管、多晶硅薄膜晶体管、有机薄膜晶体管、ZnO活性层薄膜晶体管的性能结构特点与最新进展，并展望了薄膜晶体管的应用。

简介：随着半导体存储器件的小型化、微型化，传统多晶硅浮栅存储因为叠层厚度过大，对隧穿氧化层绝缘性要求过高而难以适应未来存储器的发展要求。最近，基于绝缘性能优异的氮化硅的SONOS非易失性存储器件，以其相对于传统多晶硅浮栅存储器更强的电荷存储能力、易于实现小型化和工艺简单等特性而重新受到重视。文章论述了SONOS非易失性存储器件的存储原理和存储性能的影响因素研究进展，并在材料、工艺与结构设计等方面对SONOS存储器件性能改进的研究进展情况进行了分析和讨论。

简介：在“宽带无线移动新技术标准研讨会”上，信息产业部电信研究院标准所无线室主任万屹向与会者介绍了国际上在IMT-Advanced领域取得的最新进展。ITU推动3G未来发展及超3G课题迄今已经有8年多。1999年6月ITU-RTG8／1#17开始酝酿此课题；1999年11月TG8／1#18通过并提交到ITU-RSG8通过；2000年ITU-RRA2000批准确定Q．2298研究课题，并确定课题分为两部分，

简介：钠是地球上储量较丰富的元素之一,与锂的化学性能类似,因此也可能适用于锂离子电池体系。钠离子电池相比锂离子电池有诸多优势,如成本低,安全性好,随着研究的深入,钠离子电池将越来越具有成本效益,并有望在未来取代锂离子电池而被广泛应用。介绍了钠离子电池正极材料、负极材料的最新研究进展,分析了该电池未来的研究发展方向。

简介：

简介：主要介绍了量子通信的两种远程传态的方案的原理及实验进展,包括分离变量(光子态)和连续变量(光场态)的远程传态,并对两种方案和实验做了比较.

简介：<正>在日前举行的"通用平台技术论坛"(CommonPlatformTechnologyForum)上,IBM公司与其技术联盟伙伴三星电子(SamsungElectronics)和GlobalFoundries共同探讨超越FinFET技术的半导体发展前景,看好可挠曲晶圆、CMOS持续微缩、双重曝光微影以及碳纳米管和硅光等下一代技术的最

简介：<正>1.科学家公布人类基因组“工作框架图”参与人类基因组计划的美、日、法、德、英、中六国科学家6月26日宣布人类基因组“工作框架图”绘制成功,这为研究人类遗传物质多态性提供了资料,国际社会对这一重大科学进展给予高度评价。2.美研制出最先进的量子计算机和生

简介：

简介：正性光敏聚酰亚胺（p—PSPI）是一类重要的集成电路（IC）封装材料，广泛用于IC器件的应力缓冲、表面钝化以及层间绝缘。与传统的负性光敏聚酰亚胺（n-PSPI）相比，p-PSPI无论在光刻精度还是环境友好性方面均表现出了更为优良的品质。文章综述了国内外p-PSPI电子封装材料的最新研究与应用进展状况。系统阐述了p-PSPI的光化学机理。对目前商业化p-PSPI产品的特性、在微电子以及光电子领域的应用和未来发展趋势进行了介绍。最后对国内高性能p-PSPI电子材料的研发工作提出了建议。

简介：为了增加在有机基板上倒装芯片安装的可靠性，在芯片安装后，通常都要进行下填充。下填充的目的是为了重新分配由于硅芯片和有机衬底间热膨胀系数失配产生的热应力。然而，仅仅依靠填充树脂毛细管流动的传统下填充工艺存在一些缺点。为了克服这些缺点，人们研究出了一些新的材料和开发出了一些新的工艺。