简介:动态规划检测前跟踪(DP—TBD)算法是一种检测微弱目标的检测方法,可明显改善信噪比,但检测目标的提取与识别仍是技术难点。利用轨迹特征剔除虚假目标,提出一种目标综合识别方案。仿真结果证明,该方案可有效剔除虚警并保留真实目标。
简介:针对传统光学遥感图像近岸舰船检测方法不能处理大场景图像问题,提出了一种新的大场景近岸舰船检测方法。该方法采取分块处理策略,利用粗海陆分割方法筛选有效检测区域块,以缩小目标检测范围和提高检测效率。在检测结果合并阶段,采用0-1整数规划方法进行融合建模,并根据约束集对模型进行拆分,从而提高了结果融合效率。试验结果表明该方法具有较高的近岸舰船检测效率。
简介:角闪烁背景下,雷达导引头在近距离跟踪阶段存在不能稳定跟踪,甚至不能精确跟踪的问题。基于高分辨技术的单脉冲测角方法是抑制角闪烁、提高角跟踪性能的有效途径。现有研究采用幅度加权的思路,在对目标角度的估计过程中只利用了目标多个散射点的幅度信息。对于雷达目标的角度估计和角度跟踪而言,目标几何中心具有确切的物理意义。在距离高分辨条件下,散射点的距离信息表征了目标散射点在径向上的分布情况,对目标几何中心的角度估计更具有实际意义。因此,充分利用高分辨雷达所能提供的有效目标信息,提出了基于目标几何中心的角信息处理方法。仿真结果表明,该方法不仅能有效抑制角闪烁,而且具有更好的跟踪准确性和稳定性。
简介:在亚微米工艺中,多晶栅TiSi工艺是降低接触电阻的常用方法。但是TiSi的生长与衬底的掺杂浓度相关,对多晶栅的掺杂剂量有很高的要求。由于光刻工艺中存在的套刻偏差,使得后续源漏注入剂量会在多晶栅上有所偏差,影响了后续TiSi在多晶栅上的生长。文章采用多晶栅上生长一层LPCVDSiN作为掩蔽层的方法,避免了由于光刻套刻偏差引入的注入剂量偏差,改善了后续多晶栅上TiSi的生长。通过对As注入和P注入在不同SiN厚度掩蔽层下穿透率的研究发现40nm左右基本可以阻挡95%的N+S/DAs注入剂量而保留80%的多晶栅P注入剂量。该种掩蔽层方法有很多优点:源漏注入的条件不用更改;多晶栅注入的可调节剂量范围大大增加,可以更好地保持重掺杂多晶栅特性。