简介：数字阵列雷达是一种灵活的阵列雷达，可以通过数字技术完成所需的若干功能，尤其是抗噪声干扰等。文章研究了数字阵列雷达在波形选择、接收超低副瓣形成及自适应零点形成技术等方面的实现，以及仿真和性能测试结果。

简介：伴随着CMOS工艺技术的发展,CMOS电路已经成为VLSI制造中的主流,而CMOS器件特征尺寸的快速缩小和CMOS电路的广泛应用,使得CMOS电路中的latch-up效应引起的可靠性问题也越来越受到大家的重视。阐述了CMOS工艺中闩锁的概念、原理及其给电路的可靠性带来的严重后果,深入分析了产生闩锁效应的条件、触发方式,并针对所分析的闩锁原因从版图设计、工艺改良、电路应用三个方面提出了一些防闩锁的优化措施,以满足和提高CMOS电路的可靠性要求。

简介：存储单元的加固是SRAM加固设计中的一个重要环节。经典DICE单元可以在静态情况下有效地抗单粒子翻转，但是动态情况下抗单粒子翻转能力较差。提出了分离位线的DICE结构，使存储单元在读写状态下具有一定的抗单粒子效应能力。同时，对外围电路中的锁存器采用双模冗余的方法，解决锁存器发生SEU的问题。该设计对SRAM进行了多方位的加固，具有很强的抗单粒子翻转能力。

简介：　　1前言　　对于MOS晶体管的栅氧化膜来说,按照高集成化、高性能化的比例要求,在采用0.35μm工艺技术的64MDRAM中,要求薄膜减薄到10nm,而在0.25μm的256MDRAM中则要减薄到8nm.对于高性能CMOS逻辑电路来说,在薄膜化方面的要求比DRAM还要早一个时代,对于0.25μm工艺来说,则要求使用6nm这样极薄的氧化膜.　　……

简介：本文要解答的问题是:1,二氧化碳雪清洗剂是怎样形成的?它与其它二氧化碳清洗剂有何不同?2,二氧化碳雪的清洗机理是怎样的?3,二氧化碳雪清洗剂有那些实际应用?4,使用二氧化碳雪清洗剂时应该注意那些问题?

简介：铜材料引线框架具有良好的导电导热性能，同时具备良好的机械性能和较低成本，但是由于框架和塑封料之间较差的粘结力在回流焊时容易造成封装体开裂。文章研究了铜框架氧化膜的特性，以及氧化膜对半导体封装的可靠性影响。根据试验，氧化膜会随着时间温度而增加，当氧气含量低于1％时增加缓慢。当氧化膜的厚度超过20nm时，塑封料与氧化铜之间的结合力就会显著下降，同时交界面的分层也会加剧。最后针对氧化膜厚度受控的产品做回流焊测试，确认是否有开裂，结果表明与结合力测试相符。氧化膜的厚度需要低于42．5nm，可以提高在reflow时的抗开裂性能。

简介：

简介：针对密码芯片在抵抗功耗攻击时存在着效率与安全两个方面的矛盾,文中通过利用奇系数梳状算法对标量进行编码,同时结合预计算方法把椭圆曲线密码标量乘法运算转化为一组小标量乘法运算,并利用基点掩码技术实施抗功耗攻击。性能分析结果表明：与传统的抗功耗攻击方案相比,给出的抗功耗攻击方案不仅可以抵抗多种功耗攻击,并且能够在存储空间和主循环运算量基本保持不变的情况下具有更高效的运算效率,在各种资源受限的应用系统中具有较好的实际应用价值。

简介：<正>在2012年12月于美国举行的"IEDM2012"上,被采用的4篇论文中,有2篇是有关氧化物半导体的成果。可以看出Si(硅)行业对该材料备受关注。氧化物半导体具有可在低温下制备、性能高且透明的特点,正在以高精细显示器的驱动晶体管为中心实现实用化,夏普于2012年针对液晶面板开始量产

简介：气敏传感器在现代工农业、信息技术、环境监测等领域都有重要应用。随着这几个领域的发展，人类对其综合性能要求越来越强，进而不断积极改良气敏传感器的性能。金属氧化物气敏元件是利用金属氧化物半导体的表面电阻遇到被测气体发生变化的原理制成的电子器件，其选择性和稳定性是研究气敏元件的两项重要指标。文章概述了金属氧化物元件气敏特性的研究进展，介绍了基体材料、掺杂材料、气敏材料的制备工艺、电极材料及结构等几个因素对元件气敏特性的主要影响，并对各种因素的作用机理进行了分析。最后展望了金属氧化物气敏元件的发展前景。

简介：摘要当前我国小学数学课堂教学评价依旧延续旧式评价标准，本文对小学数学的课堂教学进行质性研究，通过数据分析、案例追查来研究当前教学评价。从中找出不足与缺漏，并针对性的提出相应改进措施。由此来提高小学数学教学质量，促进学生逻辑思维能力的发展。

简介：作者在积累氦质谱组合检测中发现存在粗漏漏检现象，美国宇航局2013年2014年的研究报告揭示，各种组合检测复测中均存在粗漏细漏漏检现象。文章对积累氦质谱组合检测和氩粗漏氦细漏组合检测的粗漏检测，提出了确定最长粗漏检测时间的方法；对这两种组合检测和氦质谱检测的细漏检测，综合给出了定量确定和拓展细漏检测最长候检时间的方法，论证了压氦压力不应小于2倍的大气压力，提出了确定预充氦法和预充氦氩法最小候检时间的方法，提出了确定最长细漏检测时间的方法，从而可减少和防止粗漏和细漏漏检；并通过对美国宇航局报告中实例的分析，验证了以上方法的有效性。同时指出漏孔堵塞是造成漏检的原因之一，但不是形成微型元器件高比率漏检的主要原因。

简介：随着移动通信服务的不断普及和市场竞争的日益深化，全球范围内的移动通信运营商普遍面临着ARPU值持续下降的局面。为了在市场竞争中保持竞争力，移动运营商纷纷把改善ARPU值的希望寄托于移动数据业务。但是，不管是2G时代的GPRS系统还是3G初期的WCDMA系统，其数据带宽都不足以满足用户对多媒体数据业务的要求。可以说，空中接口带宽的不足成了限制多媒体移动数据业务发展的瓶颈。而这也正是大量移动运营商对以WCDMA为代表的早期3G系统兴趣不足的原因。

简介：通过对高压SOINMOS器件进行总剂量辐照试验发现,辐照后器件埋氧化层中引入了大量的氧化层陷阱电荷,使得器件背栅发生反型,在较高漏极工作电压下,漏极耗尽区与反型界面相连,使得源漏发生穿通,导致器件漏电。通过原理分析提出了增加顶层硅膜厚度的优化措施,证明在顶层硅膜较薄的情况下,SOINMOS器件容易发生总剂量辐照后背栅漏电,厚顶层硅器件特性受背栅辐照效应的影响则显著降低直至消失。

简介：随着光器件在空间环境和辐射环境中的广泛应用，在国际上对光器件抗辐射性能的研究越来越多。为了提高光器件的抗辐射性能，满足空间应用的各种需要，文章介绍了空间辐射环境，空间辐射对光器件的影响和辐射损伤机理，主要是光纤、激光器、光探测器、光纤陀螺的辐射效应和损伤机理。同时，概述了航天用光器件的抗辐射加固技术及其最新进展。通过采用抗辐射加固技术，大大提高了空间应用的超辐射发光二极管（SLD）、超荧光光纤（SFS）光源、1310nm波长的InGaAsP／InP半导体激光器、电荷耦合器件（CCD）、互补性金属氧化物半导体（CMOS）器件的抗辐射性能和可靠性。

简介：文章着重介绍高压水喷砂在汽车工业中的应用,结合工业企业的实际需求,运用现代自动控制技术,将繁琐、复杂的车体表面处理过程变得简单可行,生产效率大大提高,实现金属表面批量处理的流水线生产.

简介：<正>日本产业技术综合研究所日前发布消息说,他们通过自行开发的"大容量高纯度臭氧发生装置"生产出浓度高于90%的臭氧,并成功使用这种超高浓度的气体在400摄氏度较低温环境下制造出高品质的硅氧化膜。

简介：液体二氧化碳是一种新的环保型清洗剂，应用在织物干洗上达到了较佳的清洗效果。本文介绍了液体二氧化碳溶剂的性能、洗涤原理和在干洗织物上的应用。

简介：通过论证和推演,对各种氦质谱细漏检测方法给出了当细漏氦气测量漏率判据R_（max）小于粗漏判据相应的氦气测量漏率判据R_（0max）时,定量拓展细漏检测最长候检时间的公式,并给出了保持被检件内部氦气分气压不低于0.9倍的正常空气中氦气分气压P_（HeO）的方法。

简介：在亚微米的半导体生产制造技术中，二氧化硅工艺中的颗粒污染会造成漏电流形成击穿电压，已经成为产品良率的主要影响因素。文章主要针对目前市面上流行的TELAlpha-8SE的立式APCVD二氧化硅炉管制造工艺中所遇到的颗粒污染问题进行研究。通过大量的对比性实验，进行排查与分析，并利用各种先进的实验设备和器材，炉管、高倍度电子扫描设备、先进的光学仪器和缺陷分析设备等，找到产生颗粒污染的原因，并且找到解决问题的方案。在减少机台停机时间的同时，提高了机台的使用率，而且改善了颗粒污染的状况，最终获得良率的提升，优化了制造工艺。