简介：OKI高速数码彩色页式打印机产品在2003年8月才正式进入中国市场，虽然比起已占据国内市场多时的其它品牌来得迟了很久，但却是在全球最大的图文快印连锁品牌SirSpeey进入中国，国内数码快印市场悄然升温的时刻，可以说来的正是时候。再加上OKI公司市场定位准确，首次发布的OKIC9500便由处于世界领先地位、占据全球80％彩色输出服务器市场的图像解决方案开发商EFl(ElectronicsForImaging)公司为其量身定做了一套应用于彩色输出行业的色彩管理软件-BestCororproofforOKIC9500版，合作推出“OKIC9500+Bestcolorproof”彩色输出解决方案。使得配置子该解决方案后的C9500在原本拥有30页／分的打印速度优势的同时实现了足以模拟胶印的色彩效果。

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简介：速度和损耗是光开关的两项重要特性指标.文章在介绍SOI热光型和电光型开关工作原理的基础上,分析了波导层和埋层二氧化硅厚度、电极材料、载流子寿命以及掺杂、界面质量、模式失配度和对准性等等因素对于速度和损耗的影响,并相应的提出了一些改善方案.

简介：近日．网屏欧洲公司推出了一款最新多方向CTP到显影机的搭桥．使Platerite的产品用户有机会将一条或多条生产线内的不同类型的版材的显影组合起来。

简介：引言原油储罐投入使用一段时间后,原油中的氮化物、胶质和沥青等混合物沉淀在罐底,这些沉淀性残渣质地较硬称作淤渣,淤渣越积越厚,不仅占用油罐的容量,而且无法对油罐进行检查维修.因此,在检查维修油罐之前,必须将其内部的淤渣清洗干净.

简介：以空间目标双基地ISAR成像为背景，研究了空间目标双基地速度估计与速度补偿问题。首先推导了高速空间目标宽带LFM信号双基地回波表达式，针对中频直接采样匹配滤波非相参双基地ISAR，研究了高速运动对二维成像的影响，通过目标双基地速度估计，构造补偿相位项，实现高速目标双基地回波速度补偿。在分析双基地测速误差对速度补偿及二维成像影响的基础上，提出了窄带测距粗测速度解模糊与窄带回波时频分析精测速度相结合的空间目标双基地径向速度估计方法。仿真表明了分析的正确性。

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简介：封装是T/R开关的关键环节。开关封装失效主要包括外壳失效和LTCC基板失效。为了避免T/R开关失效,利用ANSYS14.0对封装进行模态仿真及加速度瞬态仿真,找出开关封装的加速度响应值以及受到应力时的频率特性,并通过随机试验和半正弦冲击试验验证仿真结果,验证封装可靠性。试验结果表明,目前的T/R开关封装可以保证组件能够承受40g以上的加速度冲击和振动。

简介：本文介绍了超临界流体及其特性、超临界流体清洗工艺及特点.结合现有的研究结果,论述了在微电子加工中应用超临界流体的可行性和有效性.并以硅片的清洗和干燥为例,说明了超临界CO2的应用优势,指出了超临界流体在微电子技术中尚需要解决的技术问题及其广阔的应用前景.

简介：本文主要介绍了埋砂法恒定加速度试验时元器件的受力分析.

简介：摘要汽车驱动桥模块化设计很大程度上由各个零件间的关联关系确定，但零件配合属性通常是模糊的。为方便汽车驱动桥产品的模块化设计，运用了模糊关联分析与求解的设计方法。根据模糊概念理论，运用模糊关联规则对数据进行了规整和优化，建立了产品设计的模糊关联系统，给出了属性模糊矩阵，从而有效地处理模糊信息，为后续的模块化设计奠定基础。

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简介：日本移动运营商NTTDoCoMo公司周一宣布，其FOMA3G业务正在受到消费者的青睐，用户数量已经超过了900万。DoCoMo公司于2001年10月份推出了3G业务，不过直到2003年10月份公司3G用户才达到100万。

简介：<正>据国外媒体报道,MIT的科学家已经研发出了一种新型晶体管,新的晶体管通过材料原子结构中的洞孔来让电流通过,速度是当前晶体管的4倍左右。为了能够提升速度,科学家们将锗放置在不同的硅层上和硅符合产品上,随后锗

简介：IEEE802．11n任务组上周为把无线局域网(WLAN)吞吐率提高到至少100Mb／s的高速标准遴选出两个提案。

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简介：摘要双聚类（Biclustering）算法在数据挖掘中是一个新兴的算法，对于矩阵类型的数据，其聚类效果很好。本文浅述了双聚类算法的基本特点，并提出了用迭代的双聚类算法对未知的数据进行分类，并对一组数据进行了测试，其分类表现不错。

简介：本文介绍了双孔逆向推板窑的性能、结构,并进行了节能比较和节能分析。

简介：近年来，砷化镓器件的发展极为迅速.其中，欧姆接触的制作是器件研制的关键工艺之一。为了提NGaAsPHEMT器件欧姆接触的性能和可靠性水平，文章比较了三种常见的GaAsPHEMT器件欧姆接触制备技术的差异，分别是：分层蒸发、溅射＋蒸发、双源共蒸通过传输线模型（TLM）法测试数据以及微细形貌分析，得出双源共蒸工艺制备的欧姆接触的电阻率和均匀性综合特性最佳，因此认为双源共蒸技术在大尺寸GaAsPHEMT圆片工艺中具有最优的综合特性。