简介：在7月末全额收购了磷化铟衬底制造商Crystacomm之后,半导体衬底制造商AXT正在酝酿6英寸磷化铟衬底的生长,这关系着能否为下一代无线移动通信发展打开新局面。AXT一直是世界上服务无线器件制造商领先的生产砷化镓衬底的供应商,十年前,移动通信产品的发展和LED产业的异军突起使其砷化镓衬底的销售业绩惊人,而近年来晶体生长市场快速的发展促使公司做出新的转变。

简介：近日,日本研究者着眼于绝缘栅双极型晶体管(IGBTs)在轻掺杂碳化硅材料中实现了少数载流子寿命的延长。这些新型产品有望实现超过10kV的高压条件下电力的传输和分配。器件一般需要较低电阻值和相对较厚的漂移层才能实现高压条件下的运行。而对于碳化硅材料,尤其p型碳化硅材料,漂移层电阻会受到少数载流子寿

简介：<正>近日,韩国蔚山科学技术大学能源化学工学部教授白钟范成功用合成氮和碳,开发出比硅功能强100倍的新的半导体材料。该项研究成果已刊登在国际学术杂志《NatureCommunications》上。之前,很多研究人员认为,替代硅半导体的理想物质将是石墨的单原子层"石墨烯(Graphene)"。石墨烯之所以被称为"革命性的新材料"是因为导热性

简介：<正>市面上能买到的LED灯,虽然耗电量仅为白炽灯的6%,使用寿命长达5万小时以上,但动辄数十倍的售价,使LED灯无法走入百姓家。南京理工大学近日传出消息,该校取得新型二维半导体研究进展,有望制造出新型材料,大大降低LED灯生产成本,该研究成果已经在线发表在化学与材料等学科顶尖期刊

简介：随着现场总线技术的不断发展,CAN总线在实际中的应用越来越广泛,这对CAN通信的可靠性提出了更高的要求。另外,用户的低压应用越来越普遍。针对这两个方面的要求设计了一款低压高可靠CAN协议芯片,通过芯片中的错误管理逻辑提高了通信的可靠性。

简介：面对日益增加的赛博空间威胁，评估任务关键系统能否有效运转变得更加紧要。首先，介绍了任务关键系统赛博安全性的概念内涵；然后，通过系统核心能力分析，构建了综合体现系统运行与安全特征的评估指标体系，并依据指标分类给出了几种典型指标的计算／评估模型；最后，提出了一种赛博安全性评估试验方法，并结合典型场景进行了试验验证。

简介：采用Sn3.5Ag（221℃）Indium8.9T3-83.5%的焊膏,首先做了焊料的可焊性试验,随后设计了围框的密封焊试验,工艺样件由Cu80W镀金底板和柯伐镀金围框组成,在270℃恒定温度下,焊接时间2min。最后对焊接后的样件做了X-ray空洞率及焊接层面微观检测分析并测量了IMC厚度。研究结果表明：不仅Sn3.5Ag焊料的可焊性好,而且在镀金层上的致密性也好,在X光透射下柯伐镀金围框的空洞率低于5%,只是随时可能产生的小气孔会严重影响焊接的密封性。

简介：针对网络化信息系统对抗试验环境的安全性需求，从安全要素、安全属性和对抗环境3个层次给出了安全防护体系的描述框架，建立了基于多种隔离机制的对抗试验资源安全防护基础结构模型。为了实现多层次和多领域的立体防护，依据面向服务和安全域划分的基本原则，建立了适应网络化信息系统对抗试验环境的各层次安全防护系统，为安全技术开发和安全设施建设提供借鉴。

简介：<正>2015年1月28日,VishayIntertechnology,Inc.宣布,发布用于工业电源系统的新系列中性点接地电阻—NGR系列器件。MilwaukeeResistors(VishayDaleResistors的产品线)NGR系列器件由Vishay公司的GRE1高功率、高电流栅极电阻组成,安装在耐用、耐候,具有极高电压隔离的IP23外壳里,具有高线路中性点和系统电压,工作温度可达+760℃。NGR系列电阻能方便地直接替换竞争方案,可为Y形(星形)配置的发电

简介：<正>VishayIntertechnology,Inc.增强其通过MIL-PRF-55342认证的E/H系列精密薄膜表面贴装电阻芯片,为重要的航天应用提供"T"级失效率。这些QPL器件经认定具有TCR特性E、H、K、L和M,有12种外形尺寸。为保证VishayDaleThinFilm电阻具有确定的可靠性,这些器件进行了100%的筛选和广泛的环境测试,包括100%的A组功率调节和B组抽样测试,通过这些测试对器件进行分级,认可达到"T"级失效率。另外,这些薄膜电阻满