简介:V型槽侧面耦合是目前双包层光纤抽运光耦合的方法之一。本文提出了一种二透镜光学系统的耦合模型,并利用几何光学的ABCD矩阵分析和计算了透镜焦距与激光二极管阵列(LD—Arrays),透镜,双包层光纤(DCF)三者之间间距的关系,同时通过计算确定了V型槽所开的最佳角度。通过数值模拟计算发现透镜焦距的选取在很小范围内会引起两透镜间距的剧烈变化而且激光二极管与透镜的间距以及两透镜间的间距主要取决于靠近激光二极管那个透镜的焦距大小。本文的分析和计算对V型槽侧面抽运的光学耦合系统中透镜焦距的选取以及LD,透镜,DCF三者之间间距的设置的最优化提供了理论指导。
简介:提出了一种积累型槽栅超势垒二极管,该二极管采用N型积累型MOSFET,通过MOSFET的体效应作用降低二极管势垒。当外加很小的正向电压时,在N+区下方以及栅氧化层和N-区界面处形成电子积累的薄层,形成电子电流,进一步降低二极管正向压降;随着外加电压增大,P+区、N-外延区和N+衬底构成的PIN二极管开启,提供大电流。反向阻断时,MOSFET截止,PN结快速耗尽,利用反偏PN结来承担反向耐压。N型积累型MOSFET沟道长度由N+区和N外延区间的N-区长度决定。仿真结果表明,在相同外延层厚度和浓度下,该结构器件的开启电压约为0.23V,远低于普通PIN二极管的开启电压,较肖特基二极管的开启电压降低约30%,泄漏电流比肖特基二极管小近50倍。
简介:<正>综合开发研究院金融与现代产业研究中心主任张建森接受本刊独家专访,解析前海跨境人民币贷款之意义,同时主张,构建圈层分级结构,支招区域金融中心建设"遍地开花,但花容相似。"这或许就是现在国内各地都在加快建设金融中心的真实写照。在国内外经济金融格局发生巨大变化的背景下,中国新一轮金融改革开展得如火如荼,此间,各地方政府和各中心城市发挥核心主导作用,投入到建设金融中心的热潮中。令人欣喜的是,近几年,我国金融中心城市发展得非常快,金融业增长速度高达21%,像大连、沈阳等部分城市,甚至超过30%,可谓处于弯道超速的发展阶段。然而,喜中带忧的是,国内金融中心城市的建设虽遍地开花但同质化严重,这既不利于真正的金融中心建设,且存在城市、地区间形成恶性竞争的隐患。