简介：本文综述了ITO薄膜的应用领域和制备工艺。ITO薄膜主要用于光电器件中,例如用于液晶显示(LCD)。制造ITO薄膜的工艺方法很多,本文综述了磁控溅射法、CVD法、喷雾热分解法和溶胶—凝胶法4种制膜工艺。

简介：用溶胶-凝胶法制备镍锌共掺杂Z型锶钴铁氧体Sr3（NiZn）xCo2（1-x）Fe24O41（x=0～0.5）粉末。用X射线衍射（XRD）和扫描电镜（SEM）表征该铁氧体粉末的晶体结构和表面形貌，并测试其室温磁滞回线和室温电阻率。用微波矢量网络分析仪测定该粉末在2～18GHz微波频率范围的复介电常数和复磁导率，根据测量数据计算电磁损耗角正切及微波反射率，分析该材料的微波吸收性能与电磁损耗机理。结果表明：Sr3（NiZn）xCo2（1-x）Fe24O41粉末呈六角片状形貌，晶体结构为Z型，具有良好的软磁特性；x=0.3时该材料的电阻率最低，微波吸收效果最好，在13.5GHz频率的吸收峰为25.1dB，10dB频带宽度为7.7GHz，兼具强的磁损耗和弱的介电损耗。

简介：以金属铜箔和镍粉为原料，采用涂覆法制备出Ni—Cu多孔薄膜。采用场发射扫描电子显微镜（FE-SEM）、x射线衍射仪（XRD）、原予力显微镜（AFM）等设备对所制Ni-Cu薄膜的显微结构、物相组成进行表征。通过压泡法对所制多孔薄膜的通量及孔径进行测试，并探讨薄膜的成孔机理。研究表明：所制备Ni-Cu多孔薄膜厚度约为50μm，平均孔径约10girl；涂覆面通过Ni粉的松装烧结形成多孔结构；铜箔一测的孔是由于Kirkendall效应所产生的空位沿着晶界扩散在表面聚集而成。

简介：以钛酸丁酯为前驱体,聚乙二醇(PEG)2000为添加剂,采用溶胶-凝胶法制备TiO2薄膜,研究PEG2000的添加量对TiO2薄膜性能的影响。通过热重分析仪、X射线衍射仪(XRD)、比表面积及孔结构分析仪(BET)、扫描电镜(SEM)、接触角分析等手段对薄膜的热稳定性、晶相变化、比表面积、孔结构、表面形貌和亲水性进行表征。结果表明:随PEG2000添加量增加,TiO2薄膜锐钛矿晶型转变为金红石晶型的温度升高,薄膜表面从致密平滑转变为开裂粗糙,比表面积持续增大,平均孔径则减小,接触角由3°增至20.2°;当PEG2000的添加量为5%时,TiO2薄膜的性能最佳,表现出超亲水性。

简介：以异丙醇铝为前驱体，HNO3为胶溶剂，采用溶胶-凝胶法制备Al2O3膜。考察HNO3浓度对溶胶及薄膜的影响，通过TG-DTG，XRD，AFM，BET等表征手段对溶胶的稳定性及黏度，薄膜的热稳定性，物相组成，表面形貌，微孔结构及分布等进行综合分析。结果表明：随HNO3浓度增大，溶胶黏度增大，HNO3浓度为5mol/L时溶胶发生团聚；薄膜的热稳定性较好，高于500℃加热薄膜几乎没有质量损失；随烧结温度升高，薄膜中的γ-AlOOH逐渐向γ-Al2O3转变，薄膜因此变得更加稳定；薄膜表面较为平整，微孔分布均匀，平均孔直径为4.22nm。

简介：以六水合氯化钴（CoCl2·6H2O）和水合三氯化钌（RuCl3·3H2O）为前驱体，采用胶体法制备超级电容器用（RuO2／Co3O4）·nH2O复合薄膜电极材料。用X射线衍射仪以及CHl660C电化学工作站对该复合薄膜的物相结构及电化学性能进行表征。结果表明：当COCl2＇6H20和RuCl3·3H2O的物质的量比n（Co）：n（Ru）为2：1时，于350℃下热处理2．5h制备的复合薄膜电极具有优良的性能，在浓度为0．5mol／L的H2S04电解液中其比电容达到512F／g，500次充放电循环后比电容量保持在充放电循环前的96．1％；充放电电流为0．01A时，内阻为1．2Ω。

简介：稀磁半导体（DMS）材料日益受到科技界和工业界的关注。本文根据ZENER模型研究稀磁半导体材料的居里温度。计算结果证明：同种基质材料掺杂不同的金属元素,低价元素掺杂形成的DMS材料居里温度较高。在考虑反铁磁性交换作用时,低价元素掺杂形成的DMS材料的居里温度与高价元素掺杂形成的DMS材料的居里温度的差别,比不考虑反铁磁性交换作用时居里温度的差别更为明显,且差别随反铁磁性交换作用相对强度的增加而增加。该研究结果可为获得具有高居里温度的DMS材料提供参考。

简介：介绍了颗粒增强铁基粉末冶金材料的特点及主要制备工艺,列举了几种有代表性的颗粒增强铁基粉末冶金材料,并探讨了颗粒增强铁基粉末冶金材料的增强原理,展望了其应用前景.

简介：研制了一种以玻璃粉作为粘结相的低温烧结型银基浆料，并应用于集成电路半导体芯片贴装工艺。重点考察了半导体芯片与氧化铝陶瓷基座组装后的附着力，以研究浆料中银粉、玻璃粉和有机载体的含量以及芯片的净化处理工艺、烧结工艺对组装件剪切力和温度循环后剪切力的影响。结果表明：采用有机溶剂和皂化除油，银粉和玻璃粉质量比为7：3，有机载体和固体相质量比为1：9，在430℃烧结，保温时间在20～25min时，能获得最大剪切力。

简介：介绍了国内外铝电解用NiFe2O4型惰性阳极材料的研究与开发进展情况,指出了该材料具有耐熔盐腐蚀、抗氧化和电阻率低等优点的同时也存在抗热震性能差和电连接困难等缺陷.此外,简要阐述了NiFe2O4型惰性阳极的主要制备工艺.

简介：以雾化Fe85Si2Al6Cr7粉和溶胶凝胶法制备的W型六角晶系Ba1Co0.9Zn1.1Fe16O27铁氧体粉末为原料,通过高能球磨复合改性得到FeSiAlCr合金/W型六角晶系Ba铁氧体复合粉体。采用X射线衍射仪（XRD）和扫描电镜（SEM）对该粉体的微结构和形貌进行分析和观察,利用微波矢量网络分析仪系统测定粉体试样在2~18GHz频段内的复介电常数和复磁导率以及吸波涂层试样板的吸波性能,研究该复合粉体的微波电磁特性和电磁损耗性能。结果表明,FeSiAlCr合金/W型六角晶系Ba铁氧体复合粉体颗粒保持W型铁氧体的六角片状晶粒形貌和微结构;其ε′、ε″、μ′和μ″均高于W型铁氧体而低于Fe合金的对应值;FeSiAlCr合金含量与复合材料的磁损耗和介电损耗的相对强弱密切相关,Fe合金含量适中的复合材料,其吸波涂层厚度为2mm时,在2~18GHz全频段的吸波性能高于20dB,峰值点达50dB。

简介：以Nb2O5、In（NO3）3和Sm（NO3）3为原料,采用溶胶-凝胶法制备新型光催化材料Sm2InNbO7。采用X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）、比表面积分析（BET）以及紫外-可见漫反射光谱（UV-Visdiffusereflectancespectroscopy）技术对该材料的结构、形貌和光吸收性能进行表征。以可见光下亚甲基蓝（MB）的脱色降解为模型反应,考察煅烧温度、催化剂用量、H2O2用量和pH值对Sm2InNbO7光催化性能的影响。结果表明,煅烧温度为700℃时即可获得具有烧绿石结构的Sm2InNbO7。随焙烧温度升高,催化剂结晶度增加,粒径增大,比表面积下降,吸收边界出现一定的蓝移;在850℃下煅烧3h获得的Sm2InNbO7样品具有最高的催化活性,当50mL质量浓度的10mg/L的MB溶液中催化剂用量为0.1g、30%H2O2溶液用量为0.5mL、pH=6时,亚甲基蓝的降解率高达93.8%,明显优于固相法制备的Sm2InNbO7以及P-25TiO2。较高的pH值有利于光催化反应的进行。

简介：采用水热法制备平均粒度约300nin的六方相Bi2Te3纳米粉末。再以Bi2Te3粉末为原料，采用封管熔炼法制备N型（Bi2Te3）0.9（AgxBi2-xSe3）0.1（x为Ag的摩尔分数。x=0.1，0.2，0.3，0.4）合金粉体材料，通过快速热压制备N型（Bi2Te3）0.9（AgxBi2-xSe3）0.1块状热电材料。在300~550K温度范围内研究该材料的热电性能与Ag掺杂量之间的关系，以及热压工艺对材料热电性能的影响。结果表明在775K，40MPa条件下烧结20min后材料的相对密度达到97％以上，晶粒大小在3gm左右。当Ag掺杂量x=0.2时，在300K温度下热导率达到最小值0.71W／mK，同时获得最高的热电优值（ZT值）1.07。