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应变PMOS沟道区应力分布与器件结构参数关系的研究

作者：蓝红润
学科：建筑科学 > 建筑技术科学
创建时间：2023-12-22
出处：《中国科技信息》 2023年第17期
机构：广东美的暖通设备有限公司 528311

简介：摘要：应变MOS器件是在以Si为基础的MOS器件制造过程中引入了应力。通过在氮化硅盖帽层上施加应力使器件的晶格常数差异可以产生压应变或张应变，从而提高载流子的迁移率。
标签：应变 PMOS 应力

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应变PMOS沟道区应力分布与器件结构参数关系的研究

作者：蓝红润
学科：建筑科学 > 建筑技术科学
创建时间：2023-11-24
出处：《中国科技信息》 2023年第15期
机构：广东美的暖通设备有限公司 528311

简介：摘要：应变MOS器件是在以Si为基础的MOS器件制造过程中引入了应力。通过在氮化硅盖帽层上施加应力使器件的晶格常数差异可以产生压应变或张应变，从而提高载流子的迁移率。
标签：应变 PMOS 应力

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