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Interfacial Properties of AlN／Si（111） Grown by Metal—Organic Chemical Vapour Deposition

作者：席冬娟;郑有炓等
学科：理学 > 物理
创建时间：2002-04-14
出处：《中国物理快报：英文版》 2002年第4期

简介：WehavestudiedtheinterfacialstructuresofAlN/Si(111)grownbymetal-organicchemicalvapourdeposition.X-rayphotoelectronspectroscopyandAngerelectronspectroscopywereusedtoanalysethecomponentsandchemicalstructuresofAlN/Si(111).Theresultsindicatedthatamix-crystaltransitionregion,approximately12nm,waspresentbetweentheAlNfilmandtheSisubstrateanditwascomposedofAlNandSi3N4.AfteranalysiswefoundthattheexistenceofSi3N4couldnotbeavoidedintheAlN/Si(111)interfacebecauseofstrongdiffusionat1070℃.EveninAlNlayerSi-Nbonds,Si-Sibondscanbefound.
标签：薄膜化学汽相淀积 AlN/Si(111)生长界面特性

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