美国科学家首次成功制造出了单原子厚度的锗单锗(germanane),其电子迁移率是硅的10倍,因而有望取代硅用于制造更好的晶体管。研究发表在最新一期的美国化学会《纳米》杂志上。
纳米科技
2013年2期