Low Voltage Active Pixel Sensor Based on PMOS Restoration Transistor

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摘要 介绍最佳被设计互补金属氧化物半导体活跃象素传感器。在这个传感器中,使用是作为恢复在传统的传感器中代替NMOSFET的PMOSFET晶体管。基于0.25m互补金属氧化物半导体技术与在一样下面的传统的活跃象素传感器相比调节,模仿新结构设备更高举办的结果表演signal-to-noise比率,更宽的输出秋千,更宽的动态范围和更快的读出加速。
机构地区 不详
出版日期 2008年01月11日(中国期刊网平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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