气相沉积

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摘要 SY509-3-196[篇名]Anovelstrainedsurface-channelpMOSFETSi{sub}0.7Ge{sub}0.3withanALDTiN/AI{sub}20{sub}3/HfAIO{sub}x/AI{sub}20{sub}3gatestack;SY509-3-197[篇名]Aquantitativestudyofthenano-scratchbehaviorofboronandcarbonnitridefilms;……
作者
机构地区 不详
出处 《表面工程:英文版》 2005年3期
出版日期 2005年03月13日(中国期刊网平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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