简介：对采用P型栅增强型技术的GaN功率晶体管进行了反应堆1MeV等效中子辐照效应实验。结果表明，在注量为1.5×10^15cm^-2的中子辐照后，器件的阈值电压没有发生明显变化；栅压较大时，辐照后的饱和漏电流变小，这与沟道电子迁移率降低和二维电子气2DEG的退化有关；当漏极电压小于200V时，器件的关态漏电流明显增加，表明中子辐照重掺杂P型栅发生的载流子去除效应弱化了P型栅在零栅压下对沟道电子的耗尽，但器件栅极反向泄漏电流在辐照后没有变化，说明其对中子辐照具有一定的免疫能力。

简介：在原型装置磨合实验的实际考核过程中，发现终端光学组件内存在严重的油污染，致使化学膜在短时间内严重褪化。油污染的来源包括两个方面，一是终端光学组件内机械件表面及亚表面残留可挥发有机物，另一个来源是真空靶球表面及亚表面残留可挥发性有机物，这些有机物在常温常压下表现出较好的稳定性，但在高温或高真空下则挥发速度大大加快。

简介：利用10MeV质子对130nm部分耗尽SOIMOS器件进行辐照,测试了在不同辐照吸收剂量下,器件的辐射诱导泄漏电流和栅氧经时击穿寿命等参数,分析了质子辐照对器件TDDB可靠性的影响.结果表明：质子辐照器件时,在Si-SiO2界面产生的界面陷阱电荷,增加了电子跃迁的势鱼高度,减少了电荷向栅极的注入,减小了器件的RILC,增加了器件的TDDB寿命.

简介：实验探究并验证了新型霍尔传感器在高精度直流隔离传送与检测中的应用，实验发现在直流隔离传送与检测中，霍尔传感器相比于其他传感器或互感器，具有传感精度高、非线性好等突出优点，能够满足高精度隔离传送与检测的要求。实验除具有实际应用价值外，还适合在高校物理基础试验中开设相关课程。