简介：美国能源部牵头的清洁能源智能制造创新机构（CESMII）发布了2017-2018技术路线图。路线图总结了CESMII创新机构的任务及目标，明确了这份路线图的目的、指导原则，并围绕CESMII战略的4个方面（商业实践、使能技术、智能制造平台建设和劳动力培养），对其战略目标、研发投资组合和近期行动计划进行了全面地规划。

简介：位于美国新墨西哥州阿尔伯克基的Optomec公司宣布该公司获NASASBIR合同，进一步发展自适应激光烧结系统（ALSS）在电子产品中的应用。这一尝试的成功将实现在更多种类的温度敏感基板上打印电子电路，扩大3D打印电子元件的生产应用。

简介：美国匹兹堡的阿勒格尼科技股份有限公司被选为一个大型石油管道修复项目的镍基合金供应商,并将在今年前期产生订单。提供给ATI的轧制平板产品的预计收益额度为3000万美元。

简介：日本信州大学研究小组在碳纳米管中成功植入结晶性硫原子链，制成导电性更加优良、在空气中更加稳定的新型碳纳米管。据称该成果属世界首次，已刊载在7月12日发行的英国NatureCommunications杂志。

简介：美国宇航局格林研究中心开发出一种技术用于提高钡钙铝硅酸盐玻璃的力学特性，后者是平面固体氧化物燃料电池的密封材料。用氮化硼纳米管（BNNT）强化的玻璃复合材料的断裂强度及断裂韧性获得极大改善。例如，向玻璃中掺入4wt％BNNT可使强度提高90％，使断裂韧性提高35％。掺有4wt％BNNT的玻璃板经热压并加工成测试条。测量了力学和物理特性，如四点弯曲强度、断裂韧性、弹性模量、微硬度、玻璃复合材料的密度等。断裂韧性是用单刃V形沟槽横梁法测量的。

简介：日本产业技术综合研究所（产综研）宣布，成功使用高纯度半导体单层碳纳米管（SWCNT）制成了晶体管。晶体管的导通／截止比（导通时与截止时的漏极电流之比）为1×10^5以上，载流子迁移率超过2cm2／Vs。

简介：提出了一种基于碳纳米管场发射阵列的全彩色大面积平板显示器模型,该显示器的阴极和栅极位于同一个平面上,阴极和栅极之间的沟槽用激光束刻蚀形成,工艺简单,实验得到的电子传输比可以提高到29.3%。

简介：据海外媒体报道，德国、瑞士和波兰联合研究小组在一项新研究中首次观察到，碳纳米管中缺口间的分子在电流通过时能够发光。这种现象称为场致发光。相关研究成果刊载于近期出版的《自然-纳米技术》上。

简介：美国普渡大学和哈佛大学的科学家使用III-V族化合物砷化镓铟代替硅，研制出全球首款全门三维晶体管，可用于开发出运行速度更快、更高效的集成电路和更轻便、耗电更少的手提电脑。

简介：据报道，最近，中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所陈韦研究员课题组在碳纳米管和生物聚合物分子的复合材料的可控电驱动性能研究上取得新进展。研究人员采用简单的溶液超声混合、蒸发成膜的方法，制备了碳纳米管／壳聚糖复合物薄膜，其中，高导电的碳纳米管在不导电的壳聚糖体中形成了均匀的导电网络结构。

简介：简要介绍了碳纳米管的结构及其分散性，说明碳纳米管具有一维结构及中空的内部结构，极高的化学稳定性，易于团聚。影响碳纳米管分散体系稳定性的关键是空间效应，所以末端亲水基团的结构和性能将明显影响碳纳米管的分散。碳纳米管在基体中的良好分散使复合材料力学性能大幅度提高，并且由于其优良的光电性能，加入碳纳米管也可显著提高复合材料的光电性能和导电性能。此外，碳纳米管石墨层的本质及独特的结构和尺寸，使碳纳米管在提高复合材料的热性能方面也有很大贡献。

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简介：位于美国印第安纳州韦恩堡的韦恩堡金属公司宣布其工程师开发了一种增强形状记忆合金抗疲劳持久度的无夹杂物工艺。其中,一项机械调整工艺已经应用于0.18mm超弹性镍钛合金丝,提升了20%的高循环疲劳性能和50%的低循环疲劳性能。

简介：最近，中科院物理研究所白雪冬研究组的王文龙副研究员和博士生杨晓霞等人在单壁B—C—N纳米管研究方面又取得了新进展。三元B-C—N纳米管的合成有两个基本途径：直接生长法与碳纳米管取代反应法。直接生长法是指把B、C、N三种元素的前驱物同时引入生长环境，在纳米管生长的同时实现对其B、N掺杂，CVD方法便是直接生长法的一种。而所谓取代反应法则是以预先合成好的碳纳米管作为母体，在高温下使之与合适的含B和N的化合物之间发生化学取代反应，当碳纳米管晶格中的部分C原子被B、N原子所取代掺杂后，便得到三元B—c—N纳米管。纳米管取代反应法在原理上是一种能大量制备三元B—C—N纳米管的方法，曾经在B—C—N多壁纳米管的合成方面取得较好的结果，但是对单壁纳米管却一直难以奏效。

简介：分别以乙醇和乙腈为碳源采用化学气相沉积法制备碳纳米管,之后通过与商业碳纳米管相比较以研究不同碳源对所制备碳纳米管的结构及其用于超级电容器电极材料电化学性能的影响.通过低温氮气吸附/脱附、热重和拉曼等对碳纳米管的结构性质进行表征.此外,运用电化学工作站对所得碳纳米管的电化学性能进行了测试.结果表明,不同的碳源对所得碳纳米管的结构有着较大的影响,进而导致其电化学性能的差异.

简介：采用电化学阳极氧化法在HF水溶液体系中对钛金属进行表面处理，得到高度规整的TiO2纳米管阵列。主要研究了电解液pH值大小对TiO2纳米管阵列形貌（管径及管长）的影响；用扫描电子显微镜（SEM）对其表面形貌进行表征。结果表明：酸性条件下能形成TiO2纳米管；强碱性环境不利于TiO2纳米管的制备；在可制备TiO2纳米管的pH值范围内，管径和管长随pH值升高而减小。采用微孔模型对pH值的影响机理进行了阐述。

简介：采用水热法制备了棒状SBA-15，通过液相浸渍法合成负载钴SBA-15介孔分子筛，以负载钴SBA-15介孔分子筛为催化剂通过化学气相沉积（CVD）法制备了碳纳米管。采用X射线粉末衍射、Nz物理吸附、扫描电子显微镜、拉曼光谱等方法对合成的样品进行了表征。所合成的负载钴SBA15分子筛的比表面积为528．6m2／g，平均孔径为3．14nm；且合成的碳纳米管质量好，表面未发现无定形碳粒子。

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简介：近日，中科院大连化学物理研究所催化基础国家重点实验室张帆、潘秀莲和包信和等在碳纳米管的限域催化研究方面取得新进展，相关结果发表在《美国国家科学院院刊》上。

简介：葛昌纯，男，1934年3月出生于上海，祖籍浙江平湖。中共党员。1952年毕业于北方交通大学唐山工学院冶金工程系物理冶金专业。1952～1984年先后在冶金部钢铁研究总院冶金室、压力加工室、粉末冶金室工作，历任专题负责人、高级工程师、研究室副主任。