简介:全球电子设计创新企业Cadence设计系统公司与集成电路晶圆代工企业中芯国际集成电路制造有限公司,近日共同宣布中芯国际已采用Cadence数字工具流程,应用于其新款SMICReferenceFlow5.1,一款为低功耗设计的完整的RTL—GDSII数字流程。Cadence流程结合了先进功能,以帮助客户为40纳米芯片设计提高功率、性能和面积。
简介:微利时代,如果不能降低企业的运营成本,那么企业必然会亏损甚至面临被淘汰的局面。为了应对如此严峻形势,推行精益生产方式将是控制浪费、节约成本最好的一种生产方式。
简介:喷墨打印阻焊剂自研发以来,因树脂油墨剪切变稀和触变性等特点,一直不能有效解决阻焊剂喷墨初始阶段稳定性问题。对此,本研究以BoltornH2O为原料,合戍了一种超支化丙烯酸化合物,在与TMP3EOTA及UV固化剂混合后,可以获得稳定性好的阻焊油墨,在光源照度1w/cm2条件下固化速度低于20S,固化膜的热分解温度超过300℃,阻焊膜的其他性能符合IPC—SM-840C和CPCA4306—2011等相关标准。
简介:由于在产品尺寸、交付时间、供应稳定性、产品可靠性、器件尺寸和性价比等多方面存在优势,近几年来,微机电系统(MEMS)解决方案正在逐步打破石英晶体解决方案在频率控制和定时产品领域的完全垄断局面。随着SiliconLabs(芯科实验室有限公司)专利的CMEMS技术的采用,公司在一体化频率控制产品上获得巨大突破,通过在先进的混合信号IC之上直接加工谐振器,来获得完整的单片解决方案,这是真正的MEMS+CMOS协同设计。
简介:ARM与展讯日前共同宣布,展讯取得ARMPOP处理器优化套件IP在内的完整ARMArtisan实体IP技术授权,此后展讯将能就ARM所支援的广泛IC代工选择以及多样化的28nm制程,开发出最富有弹性的制造方案。
简介:日前,意法半导体宣布其在28纳米FD—SOI技术平台的研发上又向前迈出一大步,即将在位于法国Crolles的12寸(300mm)晶圆厂投产该制程技术,这证明了意法半导体以28纳米技术节点提供平面全耗尽技术的能力。
简介:目前最先进的半导体制程是28nm,但已经有很多公司正在进行20nm甚至是16nm的研发。半导体产业面临很多挑战,比如设计尺寸和工艺窗口越来越小,对工艺控制要求越来越高。以往的半导体制程是平面的2D制程,现在3D的工艺,比如FinFET正在走人大家的视线,制程的控制越来越难。在未来的3—4年里,DRAM和Flash也会有很多的创新,这对半导体检测和量测设备业者而言,除了带来庞大的商机外,更提出了新的要求。
中芯国际采用Cadence数字流程
推行精益生产 争取最大效益化
喷墨打印用超支化聚酯阻焊剂的制备与表征
芯科专利CMEMS技术提供真正的MEMS+CMOS协同设计
展讯获ARM实体IP技术授权开发28nm芯片
ST宣布位于法国Orolles的晶圆厂即将投产28纳米FD—SOI制程技术
KLA-Tencor为半导体客户提供高标准、高技术服务