简介：<正>宾夕法尼亚、MALVERN—2011年11月14日,VishayIntertechnology,Inc.宣布,推出新器件—SiZ300DT和SiZ910DT—以扩充用于低电压DC/DC转换器应用的PowerPAIR?家族双芯片不对称功率MOSFET。新器件扩大了该系列产品的电压和封装占位选项,使Vishay成为3mm×3mm、6mm×3.7mm和6mm×5mmPowerPAIR尺寸规格产品的独家供应商。

简介：本文主要阐述了某种声表器件(SSD)用表贴式封装(SMP)管壳的结构设计过程,以及为了适应大批量生产在工艺上所作的改进及创新.

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简介：Semtech公司日前推出ESD保护器件μClamp3324P，采用2．1×1．6×0．58mm无铅封装，尺寸比同类产品小77％。

简介：与其他半导体器件相比,CMOS集成电路具有功耗小、噪声容限大等优点,对于对重量、体积、能源消耗都有严格要求的卫星和宇宙飞船来说,CMOS集成电路是优先选择的器件种类。随着半导体器件的等比例缩小,辐射效应对器件的影响也在跟着变化。这些影响包括：栅氧化层厚度、栅长的减小、横向非均匀损伤、栅感应漏电流等方面。对于微电子器件的抗辐射加固,文章就微电子器件的应用场合、辐射环境的辐射因素和强度等,从微电子器件的制作材料、电路设计、器件结构、工艺等多方面进行加固考虑,针对各种应用环境提出加固方案。

简介：本文对以LiBq4作为发光层,PVK:TPD作为空穴输运层,结构为:ITO/PVK:TPD/LiBq4/Alq3/Al的蓝色有机电致发光器件,在相同工艺条件下引入和不引入CuPc缓冲层,进行了实验研究.结果表明:由于CuPc缓冲层的引入,使蓝色OLED的电流随电压的增大较未加CuPc的OLED相对缓慢;且启亮电压上升,发光亮度和效率下降.这主要是因为CuPc加入后,空穴注入势垒降低,使PVK:TPD/LiBq4界面空穴积累数量增大,产生的反向漂移电场阻碍了空穴多数载流子的注入;并进而致使发光层注入空穴数量减小,内建电场加强,激子形成几率变小,解离几率增大.

简介：实验中制备了不同厚度的缓冲层PBD修饰的有机电致发光器件以及没有缓冲层修饰的有机器件.通过比较发现缓冲层PBD的最优厚度为0.2nm,缓冲层PBD对于器件亮度有显著的影响.当缓冲层PBD厚度为0.2nm,相同电压下器件的亮度要比无缓冲层器件的亮度要高.当电压为16V时,PBD修饰的器件的亮度为1984cd/A,而没有缓冲层材料修饰的器件的亮度为1110cd/A,器件的亮度得到了提高.在电流密度为120mA/cm2的情况下,PBD修饰的器件的效率为3cd/A,要比没有缓冲层材料修饰的器件的效率(为2.6cd/A)高.最主要的原因是由于PBD是电子传输层,因此它对于空穴的注入起阻挡作用.所以缓冲层PBD阻挡和减少了空穴的注入,提高了电子和空穴形成激子的比例,从而提高了器件的效率.

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简介：随着塑封器件在武器系统中的使用越来越广泛，塑封器件在使用中也暴露出了一些问题，如塑封器件易打磨、翻新，内部易进入水汽产生爆米花效应或内部界面分层等。作者总结近几年塑封器件DPA试验中出现的各种失效，重点对塑封器件内部界面分层以及分层产生的原因、危害进行了论述。同时，论述了声学扫描显微镜检查对内部界面分层的辨别、原理及其相关试验标准等，提出了塑封器件在型号产品中的使用建议。

简介：在全球电子行业稳步发展的大环境下,不少业内人士对于半导体分立器件的市场前景更为看好,据美国半导体产业协会公布的数据显示,半导体分立器件行业的销售排名已占电子市场总份额的前三。而在未来两年间,半导体市场成长率将保持了7.9%左右,半导体分立器件应用范围的不断拓展,将为行业发

简介：据《NIKKEIMicroDevices》2009年第8期报道,日本富士通研究所制定了一个称为"应用于电源达到实用水平的性能"的计划,开发GaN基HEMT功率器件。以HEMT为研发基础,争取在2011年下半年达到实用化水平,并到2013～2014

简介：<正>富士通半导体宣布采用其基于硅基板的氮化镓(GaN)功率器件的服务器电源单元成功实现2.5kW的高输出功率,富士通半导体计划将于2013年下半年开始量产这些GaN功率器件。这些器件可广泛用于电源增值应用,对实现低碳社会做出重大贡献。与传统硅基功率器件相比,基于GaN的功率器件具有导通电阻低和能够进行高频操作等特性。而这些特性恰恰有利于提高电源单元转换效率,并使电源

简介：<正>半导体分立器件行业属于国家重点鼓励行业,为助力行业深度发展,国家有关部门相继出台了多项产业扶持政策,为我国半导体分立器件企业的发展营造了良好的政策环境。国家产业政策的大力扶持2009年,国务院发布《电子信息产业调整和振兴规划》,强调要加快电子元器件产品升级,充分发挥整机需求的导向作用,围绕国内整机配套调整元器件产品结构,提高片式元器件、新型电力电子器件、高频频率器件等产品的研发生

简介：<正>碳化硅(SiC)功率器件领域的市场领先者科锐公司日前宣布推出第二代碳化硅MOSFET器件。相对于同等成本的基于硅器件的系统,科锐新型碳化硅MOSFET器件可实现更高的系统效率及更小的系统尺寸。全新科锐1200VMOSFET器件可提供业界领先的功率密度及转换效率,而每安培成本仅为上一

简介：本文介绍了微波半导体技术主要特点、功率器件和单片集成电路的特性及其应用.

简介：<正>飞兆半导体公司是高性能功率半导体和移动半导体解决方案的全球领先供应商,通过引入100VBoostPak设备系列优化MOSFET和二极管选择过程,将MOSFET和二极管集成在一个封装内,代替LED电视/显示器背光、LED照明和DC-DC转换器应用中目前使用的分立式解决方案。

简介：大家知道，AOI，也就是自动光学检测，作为一种结构性测试手段，在SMT等生产环节得到大量使用，通过过程控制来帮助提升SMT加工质量；有引脚器件，特别是IC的密间距引脚（简称IC引脚）连焊是一种常见SMT缺陷，在密间距IC中尤其突出，是发生度很高的一种SMT缺陷；另方面，器件短路作为严重度最高级别的缺陷，危害大，损失也大，后果非常严重；单板生产的下一工序，整机生产等对此非常重视，多次提出改进需求；作为SMT的检测手段，减少IC连焊缺陷遗漏，成为我们紧急任务，也是长期任务；另方面，我们看到，在h0I检测中，IC连焊的误报情况也是非常严重的，这虽然有我们材料一致性不好，焊接工艺一致性不好，AOI设备机器差异等外部因数息息相关；但我们自身的因数也不可回避；我们的员工在h0I降误报的过程中，因为理解偏差等原因，在参数的标准性和实际操作的灵活性之间没有找到平衡点，往往修改过大，误报是降下来了，但不必要的漏报也产生了；在前段时间的观察中，都反映出同样的问题。本文提出一个新的思路，分析IC连焊的图象类型，将其分成两类：明亮型，和相对宽一些的暗淡型；同样将原来的IC连焊检测项目也由一个增加成2个（所增加一个为我们超常规使用供应商设备职能），分别检测对应两类连焊缺陷图象；这样来减少连焊缺陷遗漏的机会；另方面，由于解决的不良图象分别有针对性，这两个条目中，相关参数可以有条件地弱化，这也为减少连焊缺陷误报创造了可能．本方法已经成功实践，在VT-WINII设备上的E72U6—2-V010等AOI程序上试用过，效果显著，建议推广，并继续观察和改进。

简介：<正>日前,VishayIntertechnology,Inc.推出新款双芯片20VP沟道第三代TrenchFET?功率MOSFET——SiA923EDJ。新器件采用2mm×2mm占位面积的热增强型PowerPAK?SC-70封装,具有8V栅源电压和迄今为止双芯片P沟道器件所能达到的最低导通电阻。新的SiA923EDJ可用于DC-DC转换器,以及智能手机、MP3播放器、平板电

简介：GaN（氮化镓）功率器件的全球领军企业GaNSystemsInc．和功率半导体的领军企业ROHMCo．，Ltd．为促进电力电子市场的创新与发展，开始就GaN功率器件事业展开合作。

简介：从工程应用的角度介绍了一种基于总剂量效应的SOI器件模型参数的快速提取方法。首先，提取0krad（Si）时器件的模型参数，然后针对总剂量敏感参数，对100krad（Si）总辐射试验后的同种器件进行模型参数优化，并对得到的模型参数进行验证。结果表明，该方法所提取的模型参数准确有效，解决了国内目前在抗辐照SOI工艺中因采用标准SOI工艺SPICE模型（如BSIMSOI等）导致不能反映辐照效应对器件特性的影响且无法给出经过不同辐照剂量之后的器件特性的缺点，可用于评估辐射对SOI电路的影响。