简介:站在记者眼前的陕西华经微电子股份有限公司的副总工贺敏神采焕发,踌躇满志,神情坦荡,整体形象比他的实际年龄要小10岁有余.
简介:
简介:来自日本东京大学的研究团队声称首次实现了在硅衬底砷化镓(GaAs)量子点(QD)激光器中电泵激1.3μm砷化铟(InAs)的材料生长工艺,该砷化镓衬底是利用分子束外延技术(MBE)直接生长在同轴(001)硅衬底上的。
精骛八极 心游万仞(上)——访陕西华经微电子股份有限公司副总工程师贺敏
半成品印刷品在印好两色后,因机器故障,两天后印后两色时,油墨套印不到部分半成品图案上,为什么?怎样解决?
日本东京大学首次通过分子束外延法实现了在硅上生长砷化镓量子点激光器有助于推动下一代计算的发展
保护地球 促进世界经济可持续发展——中国洗净工程技术合作协会理事长徐顺成在2005清洗技术国际论坛上的发言
科技万言书之二:中国衰落的危险与新的战略选择——建立在美国核心信息技术上的中国图景(1999年中国北京)