简介：本文讨论了几种简单、实用的测温传感器非线性补偿电路。

简介：本文介绍一个实用的晶体管开关电路（如图１），用它能够很准确地测定出电容和介电常数。

简介：本文介绍由三片集成块ＣＳ８２０４、ＷＥ９１４０Ａ、ＴＥＡ１０６１组成的典型电话机电路，主要分析电话机的电源供给电路、振铃电路、拨号电路和通话电路。

简介：在阻尼结构的设计过程中，常常需要根据实际情况，合理确定各项参数，以达到提高阻尼板对振动能量的损耗率、增强阻尼板刚度的目的。阻尼板中应变能与损耗因子的关系为η^（r）=ηeVE^（r）/V^（r）＋ηV/Vv^（r）/V^（r）（1）式中：V^（r）是阻尼结构第r阶的总变形能；VE^（r），Vv^（r）分别是弹性材料、黏弹性材料第r阶的变形能。

简介：全电路欧姆定律是一个很重要的物理的知识点,也是学习电工学很重要的基础.电动势概念与端电压、电流随外电阻变化规律的教学是个难点.在实际教学中,如果能够充分利用各种教学资源,合理选择教学方法,不但可以突破难点,还能全方位培养学生分析、判断、想象、推理能力,进而全面提高学生的综合素质.

简介：本文讨论了传统的应变式压力传感器检测电路，给出了改进措施，提高了视在输出，实现了零点调整，补偿了由于温度变化引起的受力弹性体的弹性系数变化和应变片灵敏度系数变化，满足了输出线性度要求。

简介：本文设计一种断相保护电路。当电路工作正常时，发光二极管闪亮；电路缺相时，发光二极管不亮。同时，继电器触点断开，通过接触器切断电路使电机停止运行。

简介：为了得到适应脉冲调制要求的电爆炸丝,利用PSpice电路仿真软件建立了电爆炸丝的电路模型,并通过电爆炸丝实验验证了仿真模型的合理性。对以电爆炸丝为断路开关的电感储能脉冲调制电路进行了仿真计算,得到了电爆炸丝数量和几何尺寸等参数对电爆炸切断时间与峰值电压的影响规律。研究结果表明,电爆炸丝的电爆炸时刻随着根数、直径的增大而推迟,随着充电电压的增大而提前;电爆炸峰值电压随着电爆炸丝长度的增大而减小,随着充电电压的增大而增大。

简介：介绍了高频电子电路课程多媒体CAI课件的设计与制作方法,给出课件所具有的特色和实施多媒体CAI教学的方法。教学实践证明把CAI引入到高频电子电路课程的教学中,受到学生的普遍欢迎,取得了较好的教学实践效果。

简介：TLCODE是一种传输线模拟方法，在开发以非线性电路元件为主的复杂传输线、例如真空磁绝缘传输线（MITL）的电路模型中具有重要用途。一些大型装置的磁绝缘传输线往往采用多路并联结构，其电路模型的开发比较复杂，首要任务就是解决TLCODE方法在多路传输线并联电路中的应用问题。

简介：本文提出了一种小波构造的逆推方法，并提出了一种基于小波分解的模拟电路故障诊断的预处理器。

简介：通过列举实例，讨论晶体管放大电路的图解分析法，指出点斜法画直流负载线和交流负载线时应该注意的问题。

简介：摘要：为解决光导探测器阵列测量电路自身发热引起的温升过高和信号基线漂移问题，提出采用分时恒流驱动的方案。通过用16只精密电阻代替电桥式测量单元，构建了简化的16路分时恒流供电的验证实验电路，实验获得的16个输出电压与采用的电阻值呈线性关系，输出电压拟合直线斜率等于恒流源的输出电流。通过设计适当的低通滤波器，消除了因开关切换引起的毛刺，获得了理想的输出波形，证明了对多通道光导探测阵列进行分时恒流供电的方案是切实可行的。

简介：通过实例,提出用简便的方法———时间常数法分析放大电路的频率特性。

简介：近年来,随着半导体工艺技术的迅速发展,质子单粒子效应研究的重要性上升到了一个新的高度。综述了国际上纳米集成电路质子单粒子效应研究的主要进展,如低能质子成为纳米集成电路单粒子效应和软错误率的主要贡献因素,中高能质子与新型器件材料（如钨）核反应研究成为质子单粒子效应新的热点问题,介绍了中国原子能科学研究院在纳米集成电路低能质子实验方面开展的相关工作。

简介：电路设计是多级线圈炮模型实施的核心和难点。本文首次详细介绍了五级线圈炮模型设计和制作过程中的电路设计，包括历次电路的优化原因和过程。五级线圈炮模型的设计引入升压装置、单向可控硅和光电门。根据最终优化的电路设计，成功制作了简洁而稳固的五级线圈炮模型。另外，通过对五级线圈炮最终模型的不断测试，发现多级线圈炮呈现两个重要特性：首先，多级加速中无论采用何种放电电容和线圈，第一级将会是所有级数中效率最低的；其次，使用的输出电压越高，效率则越低。效率与输出电压间存在某种极为复杂的关系，这一复杂关系有待于进一步探索。

简介：对偶极子天线进行集总参数等效电路建模,通过实验与数值模拟对等效电路的输出响应结果进行对比分析。研究结果表明:偶极子天线集总参数等效电路可用于分析偶极子天线带外响应问题,适用的频率范围为直流至偶极子天线的第二谐振点。当入射电磁脉冲的频谱范围位于该频率范围内时,可采用集总参数等效电路分析计算天线的输出响应;若入射电磁脉冲频谱超出该频率范围时,则由等效电路计算得到的输出响应波形将发生明显畸变,即该等效电路将不适于研究天线的带外高频问题。该研究结果明确了集总参数等效电路的适用频率范围,将有助于准确地应用集总参数等效电路来分析电磁脉冲与天线的响应问题。

简介：对市售和加固CMOS电路在四川原子核应用技术研究所的5．92×10^15Bq^60Coγ源上作了总剂量辐射特性的对比试验，其中市售的样品包括了北京半导体器件三厂的硅栅和铝栅CMOS电路及美国RCA公司的CMOS产品硅栅CD74HC20E，加固CMOS电路为中科院北京半导体研究所的CMOS／SOS(以蓝宝石为衬底)硅栅CC4012和CMOS／体硅金属栅CC4012。实验的γ剂量率在0．02-0．80Gy(Si)／s之间，它符合国家军用标准GJB762．2《半导体器件辐射加固试验方法总γ剂量辐照试验》所规定的实验剂量率范围。当辐照到预定的总剂量时，电路所有表征参数在20min内测量结束。

简介：大型激光装置的聚焦光斑的光强均匀性、能量利用率和旁瓣等都有非常苛刻的要求：能量利用率需大于90％；不均匀性小于5％而且要求激光束旁瓣非常小。就当今光学技术水平而言，由于光学元件的制作精度、材料的非均匀性以及高功率激光的非线性效应等共同影响，使得激光装置输出的激光束无法满足要求。

简介：本文在L~p（1