简介：通过对TATB基复合炸药中TATB的改性，探索降低装药冲击片起爆阈值的可能性。主要通过进一步细化TATB炸药，增加其比表面积，提高装药的冲击片起爆感度。制备了3组TATB为纳米网格状态的复合始发药（装药密度为1．73～1．74g／cm^3），装配成冲击片雷管，采用感度升降法测试这几组状态始发药的冲击片雷管起爆阈值，通过与相同组分的亚微米TATB复合始发药起爆阈值进行对比，考察纳米网格TATB复合始发药对冲击片雷管起爆感度的影响。

简介：为了解决在狭窄、深长，且处于目视盲区的装配空间内反应罐精密止口的对接装配难题，设计了幅度可控的六自由度浮动装配台，可在狭长盲视空间中以手动和自适应方式实现精密止口柔顺对接装配。

简介：在室温下，该种探测器的暗流达到微安量级，即使在现有最强的γ辐射源下，输出的电流也仅有微安量级，信噪比只能达到约为1。以前使用的PIN半导体探测器，其γ光子灵敏度仅用理论计算值，计算值的可靠性与精度需实验标定检验，成功标定的关键就是如何提高探测器输出的信噪比。由于条件的限制，以前没有实际标定过。现在，利用PIN半导体探测器的暗流与温度有关这一规律，采用半导体制冷器降低探测器环境温度实现降低暗流的目的。

简介：宽频带高灵敏度检波器广泛地用现代微波系统，主要用于功率监视、源稳幅、传输和反射测量等。文中首先完成了检测系统的建立及检波器主要技术参数的定义和检测分析；然后重点对检波器在调制脉冲状态下的平方律响应及输出脉冲幅度的影响因素进行分析论述；最后进行了不确定度分析。

简介：针对高功率微波引导磁场的实际情况,根据线性规划算法,设计了一种新颖的分段式高均匀度螺线管。这种螺线管设计以电流密度为变量,以磁场均匀度为约束条件,以磁体总体积为目标函数,利用MATLAB计算可行域内的电流密度值,将可行域的最大值作为线圈电流存在的区域,通过复杂形状的骨架加工及线缆缠绕而制成。通过分析比较常规螺线管和新设计螺线管的电学参数和磁场位形分布,认为在中心磁场强度大小相等和其他因素相同的条件下,新设计的螺线管磁场轴向不均匀度从9.8%降低至0.68%,这种利用线性规划算法设计的分段式螺线管磁体通过改进绕线工艺和机械结构可以实现高均匀度,并具有很强的推广性。

简介：现代电子电路受到诸如HEMP、UWB-EMP、HPM和SGEMP辐射时，轻则引起电路的瞬时扰动，严重时导致系统功能完全失效。本文研究了同一单片机电路在HEMP、HPM和UWB-EMP辐射下的灵敏度。

简介：介绍了惠斯通电桥测电阻的原理,给出了电桥灵敏度的定义和公式。利用电桥测量了未知电阻的阻值和电桥灵敏度,用实验分析和验证了影响电桥灵敏度的因素。

简介：为实现对基于SiC探测器的裂变靶室极低中子灵敏度的准确标定,提出了利用不同的中子源分别测量中子探测效率与裂变碎片的等效平均沉积能量,再将实验结果合成得到中子灵敏度的标定方法。利用该方法,获得了SiC探测器与不同厚度235U或238U裂变靶组成的探测系统对14.9MeV中子的响应灵敏度,灵敏度的相对标准不确定度为7.5%(k=1),较好地满足了应用需求。与传统带屏蔽体的标定方法相比,该方法测得的中子灵敏度可标定下限拓展了1个量级以上,同时,散射本底的影响可以通过挡影锥的方法准确扣除,显著提高了标定结果的精度。

简介：影响干涉条纹可见度的几个主要因素潘留仙，徐勇（湖南益阳师专）（西南交通大学成都）两个或两个以上光波场在空间相遇后是否能产生干涉？干涉程度如何？通常最直观判别的办法就是考察它们相遇后有无干涉条纹和干涉条纹的清晰程度。由于干涉条纹的清晰程度直接反映了光波...

简介：零件的使用性能除与材料本身的物理、化学性质有关外，主要取决于加工后的表面质量。轻材料零件的物理机械性能尤其是韧性和强度与金属材料相比有较大差异。轻材料的切削既不同于金属材料的塑性剪切切削过程，又不同于一般高硬脆性材料（如金刚石）的纯脆性断裂过程，其加工过程更加复杂。试验对轻材料内球面的车削加工，研究了精加工阶段不同切削参数对型面粗糙度的影响，并分析了切削参数的变化对型面粗糙度的影响趋势。

简介：本文主要研究了CCl4的拉曼散射光的偏振特性，通过观察和分析其光强分布图，计算出了CCl4的退偏比，并通过和理论计算结果的比较，了解分子结构和振动的对称性与拉曼光谱的偏振特性之闫的关系。

简介：从光电二极管的工作原理出发,对硅光电二极管的光谱响应度进行了论述。分析表明,入射光子的能量、材料的禁带宽度和吸收系数是光谱响应曲线具有波长选择性的主要原因。

简介：从理论和实验两方面讨论研究了在自组装惠斯通电桥实验中比例臂阻值对惠斯通电桥灵敏度的影响,并在实验结果上与理论分析有很好的一致性。

简介：作用时间是衡量点火药点火性能的重要参数之一，通过对影响作用时间的主要因素（Zr粉粒度、活性）进行试验研究，为完善火工品点火药的制造工艺及点火药配方设计提供一定的理论依据。

简介：基于条形波导传统数学模型和等效折射率方法,建立了SOI（silicon-on-insulator）脊形波导散射损耗的数学模型,重点讨论了侧壁粗糙度与几何结构对波导散射损耗系数的影响。研究表明：侧壁粗糙度是引起散射损耗的主要因素;波导几何结构对散射损耗的影响主要由波导宽度决定;对于给定刻蚀深度,损耗随波导宽度增大而减小;对于给定波导宽度,损耗随刻蚀深度增大而增大。

简介：

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简介：目的：提出能够反映劣化桥梁承载力的非增特性以及自相关性的承载力衰减新模型,并利用该模型进行结构可靠度分析。创新点：提出描述劣化桥梁承载力衰减的新的随机过程模型,给出利用实测数据进行模型参数拟合的方法,并利用提出的衰减模型对劣化桥梁进行时变可靠度分析。方法：采用Gamma过程描述承载力衰减的随机过程（公式7）,并基于MonteCarlo模拟的方法研究承载力衰减过程的自相关性对可靠度结果的影响。如果将承载力衰减过程假定为完全相关的过程,则会低估结构的失效概率。

简介：

简介：基于考虑发射度效应的线性电子注边缘电子受力平衡方程，获得了约束电子注所需磁感应强度，通过对比约束不同效应所需磁感应强度的大小，推导了发射度效应占主导电子注的临界半径公式。利用该公式分析了典型电子注的临界半径，分析表明在导流系数小于0.1EA.V_32时，电子注发射度效应对电子注的影响随电子注半径减小到亚毫米量级后迅速增大。通过理论推导获得了热阴极发射的线性电子注临界半径下限公式，分析表明采用较大负载的阴极有利于获得较高质量的电子注，且在电子注半径小于0.05mm后，常规热阴极的发射能力已不足以保证电子注工作于空间电荷限制状态。此外，在用缩尺法设计电子枪时，若缩尺后的电子注半径小于临界半径，则缩尺法将失效。