简介:提出了一种积累型槽栅超势垒二极管,该二极管采用N型积累型MOSFET,通过MOSFET的体效应作用降低二极管势垒。当外加很小的正向电压时,在N+区下方以及栅氧化层和N-区界面处形成电子积累的薄层,形成电子电流,进一步降低二极管正向压降;随着外加电压增大,P+区、N-外延区和N+衬底构成的PIN二极管开启,提供大电流。反向阻断时,MOSFET截止,PN结快速耗尽,利用反偏PN结来承担反向耐压。N型积累型MOSFET沟道长度由N+区和N外延区间的N-区长度决定。仿真结果表明,在相同外延层厚度和浓度下,该结构器件的开启电压约为0.23V,远低于普通PIN二极管的开启电压,较肖特基二极管的开启电压降低约30%,泄漏电流比肖特基二极管小近50倍。
简介:摘要随着时代的不断发展,教育手段也在不断的创新,最具有代表性的创新教育模式就是微课。小学教师应该将微课重视起来,发挥出微课在教学中的价值。结合新的教学模式提高教学效率。当下,正确的运用微课是现在的时代潮流,那么如何正确的运用到微课,这也成为了教师需要思考计划的一件事。本文从小学教学角度下,结合教学课堂的实际情况,粗浅的分析小学信息技术教学中微课的应用和实践,以此力求完善教学中出现的问题。
简介:采用偏硼酸盐和硼酸-氧化物为原料,分别通过一步法和两步法制备B_2O_3-SiO_2系微晶玻璃陶瓷材料,并对不同原料和方法制备的陶瓷材料进行XRD、SEM分析及力学、热学性能对比测试。结果表明以偏硼酸盐为原料使用一步法制备硼硅酸盐微晶玻璃陶瓷成瓷性能较两步法制备微晶玻璃陶瓷性能差,两步法制备微波玻璃陶瓷材料玻璃相相对较多,性能较好。