简介：<正>据报道,美国哥伦比亚大学一项新研究证明石墨烯具有卓越的非线性光学性能,并据此开发出一种石墨烯-硅光电混合芯片。这种硅与石墨烯的结合,让人们离超低功耗光通信近了一步,让该技术在光互连以及低功率光子集成电路领域具有广泛的应用价值。相关论文发表在《自然·光学》杂志网站上。该研究团队由哥伦比亚大学的工程师和新加坡微电子研究所的研究人员组成。他们通过放置一个碳原子厚度的石墨烯薄片,成功将不发生光电或电光

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简介：<正>日本产业技术综合研究所日前发布消息说,他们通过自行开发的"大容量高纯度臭氧发生装置"生产出浓度高于90%的臭氧,并成功使用这种超高浓度的气体在400摄氏度较低温环境下制造出高品质的硅氧化膜。

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简介：<正>世界500强企业——美国应用材料公司经过对中国市场的长期考察,十分看好晶龙集团在半导体领域的技术创新能力和行业优势,日前选定在晶龙集团建立硅探针材料实验室。美国应用材料公司是全球最大的半导体生产设备和高科技技术服务企业,营业收入连续9年在半导体生产设备领域名列第一。晶龙集团是国家火炬计划太阳能硅材料产业基地,年产单晶硅5000余吨,产量连续8年居世界之最。

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简介：挪威太阳能大厂RenewableEnergyCorporationASA（RECASA）近日发布新闻稿宣布，由于硅晶圆现货市况持续趋疲，因此为了减少曝险程度，该公司决定在2012年第1季将将挪威Glomfjord单晶硅制造厂的产能暂时关闭50％。该厂的产能原本为300MW（百万瓦），预期产能降低将对65名员工造成影响。

简介：三氯氢硅（SiHCl3）作为硅外延片的关键原材料，其纯度直接影响着硅外延层的性能。一般三氯氢硅纯度的测试方法有两种，除采用化学分析方法测试外，通常用生长不掺杂外延层（本征外延层）的方法来确定。即采取测量三氯氢硅生长后的硅外延本征电阻率的方法来衡量其纯度。而影响硅外延本征电阻率的主要因素为系统的自掺杂，增加硅外延的生长时间可以有效抑制系统自掺杂，但无限制的增加生长时间必然导致生产成本的增加。文中通过实验数据，确定了一个合理的硅外延本征生长工艺过程，从而达到了评价三氯氢硅纯度的目的。

简介：<正>据美国物理学家组织网1月31日报道,近日,瑞士洛桑联邦理工学院(EPFL)纳米电子学与结构(LANES)实验室称,用一种名为辉钼(MoS2)的单分子层材料制造半导体,或用来制造更小、能效更高的电子芯片,在下一代纳米电子设备领域,将比传统的硅材料或石墨烯更有优势。研究论文发表在1月30日的

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简介：评估了使用深反应离子刻蚀工艺来进行晶圆的切割,用于替代传统的刀片机械切割方式。结果表明,使用深反应离子刻蚀工艺,晶圆划片道内的硅通过等离子化学反应生成气态副产物被去除,从而避免了芯片侧面的机械损伤。切割后整个晶圆没有出现颗粒沾污,芯片边缘没有崩角以及开裂等损伤。该工艺还可以适用于更窄的划片道切割要求。

简介：<正>近日,韩国蔚山科学技术大学能源化学工学部教授白钟范成功用合成氮和碳,开发出比硅功能强100倍的新的半导体材料。该项研究成果已刊登在国际学术杂志《NatureCommunications》上。之前,很多研究人员认为,替代硅半导体的理想物质将是石墨的单原子层"石墨烯(Graphene)"。石墨烯之所以被称为"革命性的新材料"是因为导热性

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简介：近日，在国家02专项和中国封装测试联盟的支持下，由中国科学院微电子研究所发起的国内首个硅通孔（TSV）技术攻关联合体在北京宣告成立并启动了第1期攻关项目。科技部02专项责任专家于燮康，02专项专家组组长、中科院微电子所所长叶甜春以及近30家企业和科研单位代表参加了启动会。

简介：<正>由意大利和美国科研人员组成的团队首次创建出基于硅烯材质的晶体管。他们发表在《自然·纳米科技》杂志上的论文描述了如何研制这种材料。硅烯是一种由单个原子厚度的硅制成的材料,就像石墨烯一样,被证明具有超凡脱俗的导电性能,这意味着它在未来电子产品中将大有用武之地,特别是人们对获得更快或更小的计算机芯片抱有无限希望的情形下。问题是,硅烯非常难制备,用单张硅烯来完成工作更是难上加难。距离物

简介：<正>东京都市大学(原武藏工业大学)综合研究所开发出了可在室温(300K)且电流注入的条件下发光的Si类半导体元件。发光时的Q值高达1560。为室温下Si类半导体的全球最高值,完全可作为LED使用。在以Si类半导体实现光传输的"Si光子"技术领域,包括光敏元件和导光路

简介：<正>从重庆超硅光电技术有限公司获悉,该公司集成电路用8/12英寸半导体级抛光硅片及其延伸产品制造基地的土建工程即将于近日完工,可达到取证验收要求。按计划今年底可以出片,一举改变该材料依靠进口的局面。据悉,重庆超硅半导体项目,投资15亿元,用地200多亩,厂房面积12万平方米,达产后将实现8英寸硅片年产600万片、12英寸硅片年产60万片的产能。项目投产后,将有力促进两江新区乃至重庆的半导体材料产业发展,填补我国规模生产8/12英寸半导体级硅产业的空白,改变该材料依靠进口的局面。

简介：利用核反应^30Si(n,γ）^31Si→β^-^31P，硅可以被掺磷。其电阻率被定在2-200Ω·cm之间的值，测得的电阻率分布情况表明，掺杂剂的宏观均匀分布。从二极管发射出的击穿辐射照片证明，这种硅还具有电阻率的微观起伏呈无条纹状分布的特点。用这种均匀掺杂硅制备的二极管和晶闸管具有400～5200V的电压阻断容量。

简介：思略科技公司(CelestryTMDesignTechnologies,Inc.)是支持集成电路(IC)设计者和片上系统(SoC)设计者从半导体生产工艺中获得更高执行效率的、具有领先解决方案的提供者。这些方案可以帮助用户缩短纳米级工艺潜在的执行效率与用户设计的集成电路和片上系统执行