简介：近年来，电子产业已成为国民经济战略性、基础性、先导性支柱产业。中国已经成为当之无愧的全球电子制造中心。产业内日益激烈的竞争和持续提升的电子制造技术，对生产设备的灵活性不断提出更高的要求，这对电子厂商形成了前所未有的新挑战，同时也为相关产业带来无限的市场机遇。如何在风云变幻的市场环境下既能应对挑战又能把握机遇、赢得先机是整个行业都在思考和关注的焦点问题。
简介：本文研究了MOSFET反型层中载流子的迁移率以及迁移率如何影响温度系数（TC）。迁移率模型中考虑了在反型层中所有的散射机构。本研究对TC进行了新的考虑，并用一个实例验证了提出的模型。
电子制造技术创新成产业发展助推器专业交流平台占据行业制高点
线性区工作模式下沟道中的载流子迁移率和温度梯度如何影响功率MOSFET的温度系数（TC）：理论研究、测试和仿真
