简介:为适应增大变换器电流和提高CPU性能的不断要求,研究出降低输出电压而不降低效率的应对措施,它促使MOSFET工业以惊人的速度不断创新。带基STripFET^TM的第三代产品已达到很低的导通电阻乘栅电荷的所谓品质因数(FOM)。从根本上说,它受益于新型集成技术,还可能由新技术带来内在的多样性和灵活性。本文阐述了实际的电压调节模块(VRM)拓扑,并示出效率结果,以便与竞争对手——沟槽型MOSFET结构比较,以表明STripFET^TM的性能优点。此外,还给出许多特殊功能。
简介:本文阐述以小型、低电感的功率模块,获得紧凑的电源系统的优点。为了提高工作频率和达到最高效率,本功率器件集成了现代工艺的超结MOSFET器件和最新SiC(碳化硅)二极管。作为示范,苏黎世ETH电力电子系统实验室开发了一个10KW输出功率,功率密度高达8.5kW/l(85W/cm3),高效率和嵌入功率模块中的一个6-开关维也纳整流器。
简介:2月21日,全球能效管理专家施耐德电气在海南博鳌隆重举办2014年PlantStruxureNOW!“创变始于现在”客户峰会,施耐德电气的客户、合作伙伴、行业专家及媒体等300多位嘉宾共襄盛举,共同讨论在目前经济环境下工业自动化行业的能效管理及市场需求。期间,施耐德电气隆重推出了PlantStruxure“协同自动化架构下的多项重大革新产品和技术,全面展示其在能效管理上的进一步创新和突破。
第三代STripFET^TM实现了通态电阻与栅极电荷之间的最佳折衷——电信和计算机用的DC-DC变换器的新效率标准
用现代MOS场效应管开关与碳化硅二极管构成的小型功率模块可获得高频、紧凑的三相正弦输入整流器
施耐德电气:创变始于现在,引领未来——访施耐德电气(中国)有限公司高级副总裁徐骏施耐德电气工业事业部高级副总裁DavidOrgaz施耐德电气工业事业部变频器业务高级副总裁AlainDedieu