简介：按照ODS特别工作组拟定的工作目标，采用HEP-2和HT-1与原使用的CFC-113对真空开关管常用的7种零件和部件进行清洗对比试验。检测分析结果表明，HEP-2清洗效果优于CFC-113和HT-1。采用HEP-2清洗的波纹管(真空开关管的结构件)进行了耐腐蚀性和机械寿命试验，其结果与CFC-113无明显差异。采用HEP-2清洗的真空开关管零、部件进行了整管试验，其参数合格并按规定通过了型式试验。各项试验表明，HEP-2基本上可以作为目前CFC-113的主要替代品。

简介：摘要喷涂自动化设备在国外早已广泛应用于涂装生产线，如往复喷涂机喷涂在汽车、家电、铁路货车等行业已发挥了重要作用。但是，就高压电器产品的油漆涂装来说，使用自动喷涂机器来完成工件表面油漆的涂装作业目前鲜有报道。

简介：随着电网建设规模的扩大及技术改造工程的深化开展,电力系统中的SF6开关设备的数量增加显著,SF6开关设备因其具备的耐电强度高、绝缘性能好、灭弧性能强、环境适应能力高等性能优势明显的优于油断路器,必将在电力系统中获得更为广泛的应用,这就要求电力系统的运行维护人员要熟知该类开关的常见故障及检修项目,以检修方法及注意事项的严格落实,确保SF6开关的运行性能。

简介：本文主要针对低压功率开关管的功耗进行了理论分析，并在此基础上分别对两种典型结构槽栅MOSFET和e-JFET在不同工作频率下的功耗分布和总功耗进行了定量的仿真计算和对比。通过研究发现，在一定工作条件下，常闭型e-JFET比目前常用的沟槽栅型MOSFET仅开关功耗就降低约24%，总功耗则降低约30%，将其运用于CPU电源电路中的开关功率管的制造，在高频领域有着极好的应用前景。

简介：在SiC二极管经过10年的成功生产后,我们认为SiC技术已足够成熟以提出我们的第一个SiC开关器件。SiC独特的物理特性使我们有机会设计除硅超结器件和IGBT外的新一类高压开关器件,其关键特征在于较低的静态和动态功耗以及体二极管的集成,这对依靠硬开关整流及谐振开关的电路拓扑来说将被证实是革命性的。本文将讨论其主要技术特点

简介：充电泵（或称开关电容器电压转换器）填补了线性稳压器和基于电感器的开关稳压器之间的性能空白，为不喜欢电感器的工程师提供了另一种设计选择。与LDO相比，充电泵需要一个额外的电容器（“浮动”电容器）才能工作，但一般来说成本仅略有增加，同时充电泵具有更高的输出噪声电平，

简介：无论对哪种封装，新一代600V超结MOSFET的导通电阻标定了新的基准。新产品系列的特点是电流容量和开天速度非常高。兼之它具有目前世上无与伦比的优值FoM（Ron＊Qg）——低于6ΩnC，这就注定了此器件将被用于硬开关AC／DC功率转换电路。本论文详细分析了移相ZVS全桥和交替双管正激架构（ITTF）的功耗。为尽量保证比较有意义，我们选择了非常相似的设计方案和相同的功率输入／输出条件。结果表明，与次好的MOSFET移相ZVS桥相比，新产品系列在不牺牲效率的条件下允许采用更简单的ITTF电路拓扑。

简介：

简介：国家标准《低压开关设备和控制设备》比较适合UPS和EPS产品，本刊连载此标准，供读者学习用。

简介：Qorvo^（R），Inc．（Qorvo）近日宣布，公司的多传感器和通用开关特性荣获ZigBee^（R）GreenPowerv1．1认证。这些新特性极大地扩展了可通过能量采集供电的智能家居传感器类型，从此告别电池，也无需追求超长电池寿命。

简介：介绍并评论了DC-DC变换器早期理论的代表性著作——美国Moore博士1966年发表的论文"DC-DC变换网络的基本问题"。回顾了国际电力电子学术活动进展的历程,分析了这篇论文的时代背景及其特点。

简介：本文介绍IGBT和快开关二极管的最新发展。文中将讨论"沟槽-电场截止型"IGBT可重复短路行为的详细研究。该新型电场截止型IGBT已经被开发得几乎同MOS场效应管的关断行为完全类似(几乎没有拖尾现象)。受这种新型IGBT技术的驱动,就会在续流二极管上施加更大的应力。本文详细示出被一个超快开关的IGBT关断的二极管的开关特性和电应力。还包括基于换流期间的内部过程而对这种应用提出的要求。

简介：日前，VishayIntertechnology,Inc（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出可在1.5V-5.5V电压下工作的新款上升斜率控制的P沟道高边负载开关——SiP32458和SiP32459。

简介：消费电子和家用电器制造商需要能够减少外部元件数目、提高可靠性，同时满足或超越现今严苛的节能规定要求的离线开关模式电源解决方案。为帮助设计人员满足这一要求，全球领先的高性能功率和便携产品供应商飞兆半导体公司（FairchildSemiconductor）开发出FSL1x6系列绿色模式飞兆功率开关（FPSTM）器件，这些集成式PWM控制器带有专有的绿色模式功能，

简介：新型CoolMOSTM650VCFD技术为具有高性能体二极管的高压功率MOSFET确立了一个新基准。新型器件综合了多方优势，包括高达650V阻断电压、极低的Rdsno、容性损耗低、同时还改善了体二极管在反向恢复过程，特别是软硬转换应用时的坚固度。随着性能的提高，将介绍列入参数表的Qrt和trt的最大值。本文还研究了改善体二极管坚固度的相关因素。这干叶，具有快恢复体二极管的新型超结器件系列的优点，在HID半桥拓扑中尤为突出。它也可用于DPAK封装。

简介：本文阐述以小型、低电感的功率模块，获得紧凑的电源系统的优点。为了提高工作频率和达到最高效率，本功率器件集成了现代工艺的超结MOSFET器件和最新SiC（碳化硅）二极管。作为示范，苏黎世ETH电力电子系统实验室开发了一个10KW输出功率，功率密度高达8．5kW／l（85W／cm3），高效率和嵌入功率模块中的一个6-开关维也纳整流器。