简介：GaN（氮化镓）功率器件的全球领军企业GaNSystemsInc．和功率半导体的领军企业ROHMCo．，Ltd．为促进电力电子市场的创新与发展，开始就GaN功率器件事业展开合作。

简介：Diodes公司推出ZXTR2000系列高压稳压器，把晶体管、Zener二极管及电阻器集成到一个标准SOT89封装，通过减少器件数量和占位面积，提升电路的功率密度。这些器件主要用于网络、电信和以太网供电（PoE）应用，可以有效地为48V直流一直流电源的变压器初级端控制器调节电压。

简介：阐述了TOSVERT-MW在火电厂的应用、控制原理及节能效果。给出变频器的优点、变频器的简单原理及一次主接线、设备选择、经济效益分析等。从实际运行情况看,变频器是火电厂及其它工厂节能降耗的优选产品。

简介：

简介：

简介：<正>日前,VishayIntertechnology,Inc.宣布,推出新款8VN沟道Trench-FET功率MOSFET—SiA436DJ。该器件采用占位面积2mm×2mm的热增强型PowerPAK?SC-70封装,具有N沟道器件中最低的导通电阻。新的SiA436DJ在4.5V、2.5V、1.8V、1.5V和1.2V下具有9.4mΩ2、10·5mΩ、12.5mΩ、18mΩ和36mΩ的超低导通电阻。导通电阻数值比前一代方案最多低18%,比2mm×2mm占位面积的最接近的N沟道器件最多低64%。

简介：<正>艺精YZB-600Ⅰ型自动大功率曝光机近两年已有几十台推向用户,为了使设备能在行业中特别是各个用户手里充分发挥作用,保证设备的高效产出,现特介绍设备常用的保养方法,供用户参考。1要科学的使用设备任何设备及电器产品,不正当的操作必将加快功能的失效。曝光机也不例外。在使用设备前一定要仔细的阅读《使用说明书》,工艺人员更应探索一条高效使用设备的工艺操作方法,即保证工艺操作的正确性,又能不损伤设备的

简介：传统的集中式最大功率跟踪虽然可以使太阳能阵列的电量保持最大值，但是在实际应用中系统会有失配的问题，可能导致系统有多个最大功率点，存在次优的最大功率点，传统的最大功率跟踪方式解决不了这个问题。文中的分布式最大功率跟踪方法可以使这种失配对系统造成的影响降到最小，文章分析了这种方法的优点和运行原理，然后通过计算机仿真模拟验证方法的可行性。

简介：本文概要地介绍了第23届国际电力电子器件与功率集成电路会议（ISPSD11）上发表的一些主要研发成果和进展,诸如精细功率技术（包括集成功率器件、集成技术、精细IC拓扑）、高压功率器件（包括IGBT、二极管、高压MOSFET）、新材料功率器件、模块与封装技术、器件与工艺可靠性、低压功率器件等几个方面。

简介：<正>三菱电机试制出了采用SiC肖特基势垒二极管(SBD)和硅沟道型IGBT、输出功率为300kW级的逆变器。该公司表示,"该输出功率可以驱动轻轨的马达"。三菱电机通过将逆变器的二极管由原来的Si制改为SiC制SBD,可以使功率损耗平均减少18%左右。通过降低功率损耗,将有利于减轻逆变器的重量、或减少发热量、简化冷却机构。三菱电机一直在致力于开发SiC功率元件,以及利用SiC功率元件的逆变器等产品。此类逆变器的输出功率截至目前为几十kW。此次是首次试制成功超过100kW的大功率逆变器。

简介：<正>本文针对占风机泵类变量设备总容量80％以上的电动机,研讨实施高效变频调速技术的应用领域、适用类型、微观效益、宏观效益、产业化规模和政策措施,旨在实现量

简介：<正>日前,碳化硅（SiC）功率器件领域的市场领先者科锐公司宣布推出业界首款符合全面认证的可应用于电力电子模组的裸芯片型及芯片型碳化硅MOSFET功率器件。科锐碳化硅ZFETTMMOSFET器件和二极管适用于高阶电力电子电路,与传统硅器件相比,可实现更高的能源效率。

简介：设计了一种串联迭堆式偏置供电的毫米波功率放大器，其漏极供电电压高达＋24V。该功率放大器共包含4个单芯片功率放大模块，每个模块承受＋6V左右漏极电压。功率合成网络采用一分四的E面波导功分器，模块与功分网络间相互绝缘连接。该功率放大器最终实现的性能指标是：在直流偏置点（＋24V，4．2A）条件下，功率放大器在频段26～30GHz内其连续波饱和输出功率大于42．1dBm，功率附加效率大于11．0％。提出了一种毫米波发射机功率输出部分新的构架形式，在模块级别对功率放大器串联馈电进行了首次尝试。

简介：为解决国家同步辐射实验室直线微波源末级放大器速调管来源及满足后期升能的需要．研制了6台大功率线型脉冲调制器，作为E3730A速调管的阴极脉冲调制器，该调制器采用恒流充电高压逆变电源为调制器人工线（PFN）充电，输出130MW脉冲功率。对该调制器的设计原理进行了介绍，对其放电电路、放电开关、充电电路的工程实现进行了分析，详细讨论了旁路电路的作用及工程设计，指出采用同轴电缆传输高压充电能量必须采用旁路电路的必要性，最终给出了调制器的研制结果及应用情况。

简介：

简介：基于能效的考虑，当前生产的功率模块不仪对工作表现提出了更严格的要求，同时在封装密度方面也提出了新标准。对应的即使是表面上最细微的残留物，也会对这些极其敏感的应用中器件的稳定性产生不良影响。

简介：本文介绍了飞兆半导体公司最新开发的高单元密度，屏蔽栅功率MOSFET的结构。这种屏蔽栅结构有助于建立电荷：平衡，从而减少MOSFET的通态电阻和栅电衙。这种新技术能使通态电阻比前一代减少50％以上。为进一步改善器件特性，一种肖特基器件也被单片集成在这种新型MOSFET中，使得反向恢复电荷减少了将近20％-上述措施直接减小了在高频、大电流和高输入电压下非常关键的体二极管损耗。该新型器件在典型的倒步降压变换器应用中，能提供1．5％的最高效率改进。

简介：针对轧钢机主传动对电气传动系统的要求,给出了交流调速中同步电机和异步电机的可靠性、功率因素、电机尺寸、转动惯量、控制精度、弱磁比及变频器容量的比较;同时给出国内外轧机电气传动方式的比较和中国轧机用交流调速技术的展望。

简介：文章分析系统冲击过程中发电机功率变送器输出畸变导致机组协调控制功能混乱的原因,并提出相关预防控制措施。通过采用新型智能变送器抑制系统冲击时直流以及谐波分量造成的发电机功率变送器输出畸变,减小输出信号时延,加强功率变送器4~20mA输出信号接地屏蔽减小干扰,大大提高了机组协调控制功能的有效性。

简介：反向阻断型IGBT（RB-IGBT）是一种具备承受正反向电压能力的新型器件，以它为基础，本文研究了一种4kW，可控相移全桥零电流关断（ZCS）DC/DC功率变换器。本文首先简单介绍了反向阻断型IGBT器件和这种功率变换器的理论分析，如工作阶段分析和零电流关断的条件，随后给出了在4kW变换器样机所得到的实验结果。