简介：在单片微波集成电路领域,放大器的设计往往不能兼顾噪声、增益和带宽,通常为达到最佳噪声和增益会限制带宽,或者为增大带宽而牺牲噪声和增益。本文采用稳懋公司0.15μmpHEMT工艺,综合各种因素,设计了一款宽带低噪声放大器电路,其频率范围4～10GHz,增益约25dB,噪声温度低于100K,输入输出回波损耗大于10dB。
简介：基于其体积小、重量轻、一致性好等特点,单片微波集成电路的低噪声放大器在射电天文中有着重要作用。本文采用稳懋公司150nm和100nm赝高电子迁移率晶体管(pseudomorphichighelectronmobilitytransistor,pHEMT)工艺设计了两款低噪声放大器电路,成功流片,并进行比较。两款放大器的工作频率范围均为8-20GHz,增益约为23~28dB,噪声温度低于150K,输入输出回波损耗大于10dB。
4～10 GHz宽带单片集成低噪声放大器设计
8-20GHz 宽带单片微波集成低噪声放大器设计
