简介:[摘要]:针对筒状零件的结构特点和内腔电镀铬的技术要求,本文采用合理装夹方式、采取适当的阳极定位、选择阳极形状、设置阴极保护装置,成功解决了筒状零件内腔电镀铬过程中镀层不均匀、偏心镀、端口积铬等困境,杜绝零件短路,减少零件镀覆个体差异化。通过优化筒状零件内腔电镀铬专用装挂夹具,保障了筒状零件内腔尺寸镀铬的铬层质量,同时减小生产辅料的消耗,提高了零件电镀生产效率。
简介:摘要:碳化硅(SiC)作为第三代宽禁带半导体材料,具有良好的热导性、宽带隙、大击穿电场等优良特性,被广泛应用于高温、高频、大功率等电子器件上。但是由于碳化硅具有很高的硬度和化学稳定性,Si-C键合能较大导致湿法刻蚀无法达到要求,因此针对深孔或高台阶刻蚀多采用感应耦合等离子体(ICP)对SiC进行刻蚀,目前研究人员系统研究了ICP刻蚀条件、气体组成等各种工艺条件对SiC刻蚀的影响;其中镍作为刻蚀掩膜层被广泛应用在刻蚀SiC中,因此镍的耐刻蚀性很重要,在一定程度上决定了刻蚀过程中的SiC/Ni的选择比(SiC刻蚀量与Ni刻蚀量的比值),在同等刻蚀条件下,镍消耗少,SiC/Ni的选择比就高,则所需镍层就薄,从而减少了工艺时间,提高了工艺效率。