简介:摘要静电电荷转移(ElectrostaticDischarge)是发生概率较高的电磁兼容问题,其具有高电位、瞬时大电流特点,对CMOS集成电路、场效应晶体管等敏感性电子元器件具有较大的威胁。因此,本文以ElectrostaticDischarge抗干扰强度测量检验为入手点,从测量检验运行机理、测量检验配置、测量检验气候、测量检验注意事项等方面,分析了ElectrostaticDischarge抗干扰强度测量检验方法。并提出了几点ElectrostaticDischarge预先防控维护措施。
简介:摘要本研究提出了一种高击穿电压AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(DCBL-HEMT),它具有通过在栅极和漏极之间的钝化层中加入两个负电荷区形成的双电荷区势垒层结构。负电荷的引入可以氟等离子体处理实现。相较于普通钝化层结构和场板结构的晶体管,具有双电荷区阻挡层结构的晶体管沟道中的电子被势垒层中的负电荷耗尽。栅边缘的电场集中得到改善,沟道层出现两个新的的峰值电场,使电场分布更加均匀。双电荷区势垒层结构可以调节沟道层中的电场分布,有效地提高器件的击穿电压。通过sentaurus仿真软件对器件的结构和双电荷区进行优化,最终得到了284V的击穿电压。