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半导体溅射 &真空应用及其设备技术

作者：陈建江
学科：建筑科学 > 建筑技术科学
创建时间：2020-08-17
出处：《科学与技术》 2020年第8期
机构：宁波杭州湾新区杭培安全有限公司 315399

简介：摘要：封装测试是半导体产业的重要环节。与全球市场稳步增长相比，中国半导体封测市场以 20%的年复合增长率遥遥领先，其中专业代工占国内一半以上市场份额。 2017-2020年中国大陆新建晶圆厂将超过 20个，连同邻近的封测厂，成为全球半导体产业新增产能的核心区域。中国半导体封测产业将走向美好的春天。溅射工艺是半导体封装的重要环节之一，如房屋的地基，及其工艺性能测试安要求，进行需求测试，从而做半导体芯片功能性工艺测试设备应用技术的研究。
标签：半导体真空溅射设备技术

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多靶磁控溅射镀膜设备及其特性

作者：陈远毅
学科：电气工程 > 电力系统及自动化
创建时间：2020-07-13
出处：《当代电力文化》 2020年第06期
机构：深圳市康盛光电科技有限公司

简介：摘要：通过对阴极溅射靶、镀膜室以及真空系统分子泵等的设计理念进行概述，并针对某一种多靶磁控溅射镀膜设备进行了分析和研究。通过对该设备进行镀膜工艺的处理，以此来判定镀膜设备是否符合工艺要求 [1]。
标签：磁控溅射镀膜设备分子源溅射靶

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中国参考人模体受中子瞬间照射下主要器官组织中24Na产额研究

作者：杨翊方王月兴张建国王海军王震涛
学科：医药卫生 >
创建时间：2020-09-01
出处：《中华航海医学与高气压医学杂志》 2020年第04期
机构：200433　上海，海军军医大学海军特色医学中心

简介：摘要目的研究中国参考人模体受裂变中子瞬间照射下主要器官组织中24Na产额，为人员中子受照剂量估算提供基础数据。方法利用252Cf裂变中子源照射中国参考人模体，测量不同器官和组织的当量液中24Na的区间计数，通过多重数学方法分析计算24Na活度和中子注量，经归一化后获得结果。结果获得在252Cf裂变中子瞬间照射条件下，心脏、肝脏、两肺、脑组织及人体上、中、下段组织中的24Na比活度，其结果在(0.739～3.191)×10-7(Bq·cm2)·gNa-1范围。结论通过与文献报道中的受中子照射时人体血液中24Na比活度比较，说明本研究建立的方法可行，结果可信。
标签：中子瞬间照射 24Na

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