简介：在冲击大电流装置中，为了获得较大的冲击电流，要求主放电回路中的电感尽可能小，除了减小传输线的电感和采用低电感的电容器之外，常常采用多个触发管并联运行以减小电感，为了可靠地并联运行，要求各触发管能够准确地同时击穿，这就要求触发管的抖动特性很好；另外，在时序电路(如快速摄像)中，要求触发管的抖动时间越短越好，为此，对研制的密封充气触发管抖动特性进行了研究。

简介：提出了把光电倍增管光谱特性作为研究性实验内容的设计方案,通过实验可以测定白炽灯辐射的相对功率的光谱分布曲线、光电倍增管的相对光谱响应曲线,标定光电倍增管响应的峰值波长,研究缝宽、温度、磁场等对光电倍增管光谱特性的影响,也可以利用此实验平台研究其它光电器件的光谱特性。

简介：在实验研究的基础上，对晶体管二次击穿现象的原因提出一种新的观点，并进而讨论避免二次击穿的思路。

简介：碳纳米管分散程度对碳纳米管对炸药的包覆有重要影响。通过研究不同的分散方法（直接搅拌分散、超声波分散和乳化分散）、分散介质、分散时间对碳纳米管的分散效果的影响，提出了一种新的碳纳米管分散方法即乳化过滤法。与一般的分散方法相比，该方法不仅缩短了处理时间，而且也提高了碳纳米管的分散程度。

简介：本文介绍一个实用的晶体管开关电路（如图１），用它能够很准确地测定出电容和介电常数。

简介：辐射输运的研究有重要的科学和实用的意义。辐射波的传输过程分为两个阶段，当介质受到较强的辐射辐照时，首先是超声速辐射热波在常密度介质中的传播。与此同时，受热介质压力升高发生膨胀，产生向内传播的冲击波和稀疏波。随着受热介质的质量增加，辐射热波的速度下降，冲击波和稀疏波赶上并超过它，形成亚声速传播的辐射烧蚀波。这是均匀介质中的一维热传导模型的描述，它的应用受到许多限制。辐射在填充介质金管中的传输，由于涉及高z金属管壁对辐射的改造，属于非均匀介质中的输运问题。它涉及辐射在填充介质传输过程中的吸收和再发射，以及管壁吸收和再发射。当输运介质为光性薄时，外加的辐射源可到达波头加热冷介质。当输运介质为光性厚时，辐射在到达波头前多次被吸收和再发射，辐射被输运介质改造。加上输运管后，管壁会吸收辐射，吸收的一部分能量经管壁改造后再发射到介质中，影响输运。因而辐射在填充介质管中输运计算是复杂的二维计算。

简介：本文介绍的一种简便的红外滤波器的制作方法，具有成本低、制作方法筒单的特点，实用性很强。

简介：通过列举实例，讨论晶体管放大电路的图解分析法，指出点斜法画直流负载线和交流负载线时应该注意的问题。

简介：采用动力学共振法测量不同管径金属管的共振频率,运用origin软件对实验数据进行二次函数拟合,代入管状材料杨氏模量的计算公式得到试样的杨氏模量。通过加热控温设备改变金属管温度,研究金属管杨氏模量与温度的关系。实验结果表明金属管杨氏模量的大小与温度成线性关系。

简介：韩国研究人员发现，经过精心设计的白光发光二极管有助于优化个人的生理节律。韩国国民大学JiHyeOh及其同事研究了四组白光LED，其中包括荧光粉转换型红光LED、黄橙光LED、绿光LED和蓝光LED，以及一个长波长粉色镜。他们把这些装置与各种传统形式的照明装置做比较，发现这四组LED设计的照明效率高，

简介：利用晶体管直流增益随中子辐照注量的变化关系,建立了基于电压补偿的晶体管直流增益在线测试系统,以模块化软件架构设计方法及电压回读技术,实现了不同辐照功率下晶体管直流增益的实时监测,获得了辐照期间晶体管器件敏感参数的变化规律。结果表明,在不同中子注量辐照下,研制的直流增益在线测试系统可满足晶体管损伤效应的实时测量要求,系统的测试精度达0.2%。

简介：本文介绍了一种测量范围为１ｍｍＨｇ—２０ｍｍＨｇ，测量精度为０．１ｍｍＨｇ的低真空测量装置及其使用条件和方法。有效地代替了以水银为媒质的旋转式麦氏真空计。

简介：本文提出用伏安法测绘二极管伏安特性曲线的一种电路新接法，用该接法测量时，不需修正即可完全消除电表内阻的影响。

简介：研究基于甲酸助焊剂的高功率激光二极管焊接工艺。高功率激光二极管芯片在工作时会产生大量的热，如果不及时散掉，会严重影响芯片的使用寿命，严重时直接烧毁芯片。因此需要将芯片的发热面，即P面与热沉焊接在一起，理想状态是100％的接触，这样热量就可以完全通过接触面被带走。

简介：通过对微小应变检测意义的分析，提出了本检测仪在实际应用方面的价值和前景。基于对碳纳米管导电机理的分析、制备薄膜电阻，利用其电阻随形变变化较为灵敏的特性，将电阻的变化转换为电压值的变化，经过数据采集、放大和数字处理设计了应变传感器。

简介：为了满足高精度相机在外场环境下的检测要求,采用碳化硅光学材料制作反射镜,碳纤/环氧树脂基复合材料制作遮光筒,设计了一套重量轻、自身精度高、温度稳定性好的离轴平行光管。在二者线胀系数保持二倍关系的情况下,在一定温变范围内保持精度的稳定性。经检测,口径为400mm,焦距为8m的离轴平行光管的温变为（20±10）℃,系统波像差为1/5λ（P-V值,λ=632.8nm）和1/27λ（RMS值）,达到了设计要求,能够在外场环境下使用。

简介：从光电二极管的工作原理出发,对硅光电二极管的光谱响应度进行了论述。分析表明,入射光子的能量、材料的禁带宽度和吸收系数是光谱响应曲线具有波长选择性的主要原因。

简介：通过multisim软件仿真模拟场效应管的转移特性与输出特性,拟合出函数,利用函数绘图,最后结合图解法的具体步骤与要求用matlab数学软件对场效应管放大电路进行详细动态分析,补充模拟电子技术教材在场效应管图解法部分的不足。

简介：MOS型功率场效应管具有大的脉冲开关电流(数十安培)、较高的漏源电压(达千伏)、小的导通内阻(欧姆量级)和较快的导通时间(数纳秒)。由于其输入输出电容大，故用其制作的脉冲源抗脉冲电磁干扰能力较强，也因此它的开关速度较慢。采用过驱动能提高MOS型功率场效应管的开关速度。就是使栅极驱动脉冲波形的前沿很快且上冲大大超过额定的栅源驱动电压。为此，在研制过程中，解决了用多个场效应管串、并联组合，形成具有纳秒级陡峭前沿的大电流开关；用多个脉冲变压器并联，对大电流开关输出的信号进行放大和成形；用脉冲变压器的技术解决了大功率脉冲功率合成等关键技术，采用稳定的开关器件等技术和工艺，解决低压电路抗高速高压强电干扰。实现了用固体器件—场效应管，替代国外氢闸流管部分用途的功能。

简介：变像管相机是唯一具有时空二维观测能力的超高速光电测试设备，时间分辨本领几个皮秒乃至亚皮秒，空间分辨本领几十微米。该产品能把微弱的瞬态光通过光学成像系统投射到变像管的光阴极转换成在数量上和光强成正比的电子，再经高速线性扫描电场扫开轰击荧光屏成像，最后采集到CCD相机，