简介:目的:研究P波斜入射下的地基动应力路径,探讨其影响因素和可能变化范围,为进一步研究斜入射地震波作用下场地动力响应奠定理论基础。创新点:1.从数学上证明斜入射P波在任一深度的地基中形成的应力路径在剪应力分量(偏差正应力-水平剪应力)组成的平面中为一个斜椭圆;2.分析了P波入射角、土体泊松比和单位波长深度对斜椭圆应力路径形状与大小的影响。方法:1.基于半无限弹性空间的地震波传播理论,考虑地震波在自由界面的反射,推导土体中任一深度处由P波斜入射产生的动应力,并表示成由剪应力分量组成的平面下的应力路径(公式(9))及该应力路径的特征参数表达式(公式(A12)~(A14));2.通过控制变量法,分析参数敏感性(图7、9、10和12)。结论:1.虽然证实P波斜入射引起的应力路径为斜椭圆形式,但在地基深度、入射波频率和波速的特定组合下,斜椭圆仍可从斜线一直变化到圆形,形式较为多样化;2.P波斜入射角度在30?~60?时引起的动偏应力幅最大,最大可达同等条件下其它入射角产生的动应力幅的2倍以上;3.斜入射角大于45?后,斜椭圆路径形状几乎不随入射角改变,在研究范围内以竖直扁椭圆形为主;4.土体饱和度大于70%时,泊松比的变化对土体斜椭圆路径形状影响不大,但动应力幅随泊松比增大而显著降低。
简介:利用TCAD仿真技术,研究了电离总剂量辐射陷阱电荷对0.18μmN沟道MOSFET转移特性的影响.构建了0.18μmN沟道MOSFET的三维仿真结构,获得了在电离总剂量(totalionizingdose,TID)效应影响下,负栅压偏置时器件中电流密度的分布情况.分析了器件浅槽隔离层(shallowtrenchisolation,STI)中氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷对器件泄漏电流的影响.仿真计算了N-MOSFET的转移特性,仿真结果与辐照试验结果受辐照影响的趋势基本一致,为深亚微米MOS器件的总剂量辐射效应的损伤机制提供了一种分析手段.
简介:为研究空间用四结太阳电池中InGaAsP/InGaAs子电池在电子辐照条件下的性能衰退情况,对InGaAsP/InGaAs双结电池开展了1MeV电子辐照试验,测试了辐照前后的电学参数和量子效率,分析讨论了参数退化情况.结果表明:随着电子注量和位移损伤剂量的增加,电池性能参数退化程度逐渐加大;由位移损伤缺陷导致的载流子寿命减小,是导致电池短路电流和开路电压下降的主要原因;InGaAsP/InGaAs双结电池基区损伤比发射区损伤更加严重,因此,提高其抗辐射能力的关键在于优化基区结构.
简介:用有限时域差分方法(FDTD)对比研究了下列二维光子晶体的带隙:第1组,半径r=0.2μm圆柱,折射率n=4,晶格常数a=0.4μm;第2组,半径为r=0.2μm圆柱,折射率n=4,晶格常数a=0.6μm;第3组,内半径r1=0.1μm,外半径r2=0.2μm,折射率n=4,晶格常数a=0.4μm;第4组,内半径r1=0.1μm,外半径r2=0.2μm,折射率n=4,晶格常数a=0.6μm,并且对每一组光子晶体进行挖孔操作,然后比较不同填充率对光子晶体材料的带隙的影响,以及同种材料和结构、挖孔对带隙的影响。对于紧密排列的二维光子晶体,挖孔会使带隙向长波方向移动;对于填充率小的光子晶体,或者环形柱二维光子晶体,中间挖孔不影响带隙的范围。
简介:为了深入剖析氢化锂慢化剂正温度效应产生的原因,基于空间核热推进(spacenuclearthermalpropulsion,SNTP)粒子球床堆(particlebedreactor,PBR)的物理模型,使用MCNP程序,从中子热化效应、氢化锂热膨胀效应和极限情况下氢化锂热离解效应3个方面进行慢化剂正温度效应分析。研究表明,在低能区,靶核的热运动、原子之间的化学键及不同中子波之间的干涉效应不能忽略,且随着温度的升高,靶核的激发态更易被激发,此时非弹性散射更易发生、中子更易获得能量,能谱硬化;氢化锂慢化剂正温度效应对PBR堆芯反应性的影响因素中,中子热化效应占主导地位,引入的反应性达到2000pcm,氢化锂热膨胀效应和热离解效应影响较小,引入的反应性分别约为-130pcm和200pcm。