简介:摘要在混成式InSb焦平面器件制造过程中,热冲击引起的芯片碎裂是造成器件失效的主要原因,其较高的碎裂概率严重制约InSb焦平面器件成品率。针对InSb焦平面器件温度循环下碎裂的现象,设计出热冲击试验装置,采用该装置,对InSb焦平面器件进行热冲击试验,获得InSb焦平面器件碎裂位置、分布等丰富的试验数据;通过对碎裂机理进行分析,梳理并识别生产过程中引起碎裂的工艺因素,确定了热失配应力和工艺损伤是造成InSb焦平面器件碎裂的两个主要原因。通过对底部填充材料的择优选择、固化过程的优化,控制芯片切割中的进刀速度,选择适合InSb材料的磨料,减少热失配应力,避免生产过程中引入的工艺损伤,降低了InSb焦平面器件碎裂的概率,显著提高InSb焦平面器件的成品率。该研究工作分析了混成式InSb焦平面器件碎裂机理,找到了引起InSb焦平面器件碎裂的主要原因,并采取有效措施,降低了碎裂概率,使成品率提高50%,提升InSb焦平面器件的制造水平,将InSb焦平面器件应力分析结果应用于制造过程,指导探测器结构设计和工艺优化,对320*256、640*512中规模InSb焦平面器件研制具有重要意义。
简介:摘要随着经济的快速发展,我国的电力电子器件的应用越来越广泛。在现今的时代中,电力电子器件的应用已经能够深入到能源、交通运输、环境、先进装备制造、激光、航空航天及航母、舰船、坦克、第五代战机、激光炮、电磁炮等现代化国防武器装备诸多重要领域。这与近多年来电力电子器件与电力电子技术的飞速发展和电力电子的重要作用密切相关。因此,对电力电子器件及其应用的现状和发展很重要,本文对此进行研究,希望能促进电力电子器件的发展。
简介:摘要近年来人们对于电子器件的要求越来越高,集成度要求高,造成电流密度的增加,对电子元件的耐压和公路容量的要求也在提高。集成度高,电流密度增加,最频繁的工作量下,其器件的热分布也会有很大的变化,会造成电子元件的失效甚至损坏。加强电子元件的可靠性,成为越来越重要的命题。本文针对微电子器件的可靠性进行了分析。