简介：基于功率MOSFET器件研制了一种能产生高压高速脉冲的发生装置.设计了由超高速运算放大器构成的宽频带放大器和MOSFET互补推挽驱动电路,分析了功率MOSFET器件的开关特性,并讨论了影响其工作速度及工作频率的因素.脉冲发生器输出脉冲幅值最高可达-500V,前后沿时间均小于5ns.脉冲宽度和频率根据输入触发信号进行调节,触发延迟小于30ns,触发抖动小于500ps.

简介：使用像增强型电荷耦合器件（intensifiedchargecoupleddevice，IccD）相机系统时，需要对像增强器的选通时刻、选通宽度以及增益大小进行控制。将现场可编程逻辑门阵列（fieldprogrammablegatearray，FPGA）和专业数字延时芯片AD9501配合使用，可以产生延时和脉宽均可大动态范围、高分辨数字调节的脉冲，同时保证延时精度，从而精确控制像增强器的选通时刻和选通宽度；利用FPGA控制数字电位器MCP42010，调节像增强器微通道板两端高压，可实现对像增强器增益的控制；采用RS485总线方式完成上位计算机与FPGA的远程通信，可实现程控功能。程控电路输出的选通脉冲，其延时动态范围为110ns～4．3ms，脉宽动态范围为0～4．3ms，分辨率均为65ps，脉冲延时抖动的均方根不大于147ps；实现了256挡位的增益调节。

简介：采用大面积半绝缘型GaN（semi—insultingGaN，SI—GaN）晶体制备了电流型GaN辐射探测器，研究了探测器伏安（I—V）特性、7射线响应特性、灵敏度、电荷收集效率、脉冲响应等物理性能。结果表明，晶体表面与金属形成了良好的欧姆接触，探测器在600V偏压下暗电流低于400pA，电荷收集效率高于40％，探测器脉冲响应时间在ns量级。

简介：应用于高重复频率、高功率193nm准分子激光器会聚光路中的针孔空间滤波器，除了需要考虑它的材料加工难易、厚度、针孔尺寸等因素外，还需考虑材料抗激光损伤特性。本文利用激光损伤理论中一维热流模型对无限厚和有限厚不同金属样品在高峰值功率193nm准分子激光器照射下的损伤阈值进行了分析。结果表明：铝材料在厚度为1.2μm处比其它金属的损伤阈值高，可达1.16×1010W/cm2，且材料易于加工。利用聚焦离子束技术加工了航空铝材料样品，得到了厚度为1.2和1.5μm的针孔空间滤波器样品。扫描电镜观察其具有较好圆度和内壁粗糙度，基本满足剪切干涉仪对针孔空间滤波器的需求。

简介：为提高太赫兹脉冲的功率测量精度,基于n型硅在强电场下的热电子效应,研制了一种采用过模结构的0.14THz脉冲功率探测器.该探测器由基模波导WR6、过渡波导、过模波导WR10、n型硅探测芯片和偏置恒流源组成.首先介绍了探测器的结构及工作原理,给出了相对灵敏度表达式,分析表明过模探测器能在TE1o模式下很好地工作.然后结合国内工艺水平,根据模拟计算结果设计了探测芯片的结构参数,完成了探测芯片的加工和探测器的制作.最后,利用该探测器对0.14THz相对论表面波振荡器的辐射场进行了验证性测量,并与二极管检波器的测量结果进行了对比分析.结果表明,过模探测器的响应时间在ps量级,相对灵敏度约为0.12kW-1,最大承受功率至少为数十瓦,可用于0.14THz高功率脉冲的直接探测.

简介：基于复功率守恒技术编制了分析内壁刻槽TE11-HE11圆波导模式变换器数值计算程序；采用该程序为工作频率为30．5GHz的高功率回旋速调管设计了一半径为16mm的TE11-HE11模式变换器。计算表明该变换器在2．7％的带宽内转换效率在98．8％以上，实验结果表明该变换器性能良好。相对于其他设计技术，该技术具有占用计算机内存极小、分析速度快和精度高的优点。

简介：为了研究喷砂铝板表面的漫反射特性，基于环形光电探测器阵列和精密光学转台，设计了一种材料表面漫反射特性测量装置。该装置采用准直后的光纤激光作为光源，通过调整光学转台来调整激光入射角度，可以测量激光从不同角度入射时材料表面的反射特性。采用该装置对标准漫反射片的反射特性进行了测试，对测量结果进行拟合后显示，表面散射光的1维强度分布符合余弦分布特征，证明该装置设计是合理的。采用该装置测量了某种铝制漫反射片的表面反射特性。结果表明，这种采用喷砂工艺处理的铝板表面在入射角0°～20°范围内基本符合漫反射的特征。

简介：为了充分利用太阳能,精确跟踪太阳光,节省跟踪过程中系统的用电量,提出了一种利用变频器控制异步电机进而对太阳光进行跟踪的方式。用实时时钟实现粗略判断,变频器根据感光装置感应的信号大小,改变频率及电压,进而改变电机转速,实现更精确的跟踪,节省了系统的用电量。避免了视日轨迹跟踪在阴雨天气浪费电能、以及跟踪精度的缺陷,而且有利于系统的稳定。

简介：采用理论模拟和IVA(inductivevoltageadder)产生的脉冲X射线,研究了PIN探测器输出电荷随脉冲辐射强度的变化关系.结果表明,当入射脉冲辐射注量是PIN探测器最大线性电流对应注量的16.2倍时,PIN探测器输出电荷仍然与脉冲辐射强度呈线性变化,偏离线性小于5％.

简介：根据空间应用电子设备的热控要求，对空间光学遥感器的控制电箱进行了热控设计。首先，总结了空间电子设备的热设计原则。针对空间光学遥感器控制电箱介绍了相应的热设计流程，对典型的大功率器件进行了温差推算，并说明了电箱的各电路板和大功率元器件的热设计方案。最后，通过热分析和热试验手段对热控电箱的热控方案进行了验证。试验结果表明：控制电箱的整机稳态工况热平衡温度小于30℃，各元器件的最高壳温在54.2℃以内。结果验证了该设计方案完全满足设计指标要求。

简介：以单片机89S8252为核心，开发了一种可以远程控制的多路数字延迟脉冲发生器。其主要输出参数为：重复频率1～1000Hz可调，时间延迟0～60ms可调，精度分为1“s和0．1μs两种，发生器输出脉冲可以直接驱动多路可控硅，工作方式分为远程控制和外部触发两种。该发生器已用于高功率微波驱动源的控制中，抗干扰能力强，工作可靠。

简介：利用三维电磁场时域有限差分法,研究了n型硅片对0.3～0.4THz高功率脉冲的响应.模拟计算了波导内电场分布、电压驻波比及硅块内平均电场,给出了硅块几何尺寸和电阻率对上述物理量的影响规律.通过调整硅块的长、宽、高及电阻率,最后给出了一种可用于该频段高功率太赫兹脉冲功率测量的探测器物理模型,其灵敏度约为0.509kW-1,幅度波动不超过±14％,电压驻波比不大于1.34.

简介：研究了LD泵浦的不同谐振腔结构的掺铥光纤激光器的输出特性.采用双色镜和光纤输出端面形成谐振腔,激光器最高斜效率达到了56.9％,对应的量子效率为142％.采用光纤布拉格光栅构成谐振腔,也获得了超过Stokes极限的斜效率,且激光光谱处于光纤布拉格光栅的反射带内.不同腔结构之间对比表明,对于2μm光纤激光器,采用光纤布拉格光栅构成谐振腔,可以在保持高效率激光运转的前提下,获得较好的光谱特性.

简介：采用脉宽为1μs的微波信号对HeroTekDT1081型检波器进行标定实验,基于多项式回归方法对在9.4GHz频率下的标定实验测量数据进行了分析,给出了测量数据不确定度的无偏估计和区间估计,并计算了在一定置信度下检波器灵敏度的置信上、下界,从而给出了一种可考核的检波器工作性能指标.通过定义不确定度的估计精度,给出了一种确定大样本实验所需最小样本量的方法.

简介：为实现2×5GW级双路输出超宽谱高功率微波驱动源的小型化,研制了一种初级脉冲功率源——与双筒脉冲形成线(Blumlein线)相配一体化的带有开路磁芯的Tesla变压器.通过对Tesla变压器的理论分析,并根据简化的磁路模型得出了Tesla变压器初、次级线圈电感等电参数的估算方法,给出了Tesla变压器磁芯截面的估算和磁芯制作方法.实验结果表明,Tesla变压器最大输出电压为880kV,充电时间约为20μts,耦合系数约为0.95,与理论值吻合较好.

简介：详细地介绍了怎样快速耦合半导体激光器所发射激光与普通光纤输入端端面的方法，使耦合效率尽可能达到最大，并使用简单的方法测量了光纤的剩余长度或者测量光速，最后给出据测量半导体激光器电光特性曲线可准确方便地获得阈值电流的方法。

简介：基于自适应光学系统中变形镜与哈特曼波前传感器的位置关系,分析了导致两者空间失配的主要影响因素,并以45单元自适应光学系统为例,进行了空间匹配仿真分析,结果表明:若以拟合精度相对偏差10％作为判据,则要求变形镜与传感器相对旋转不大于4°,x和y方向的相对错位不大于2mm.

简介：对将运行于日-地L1点的太阳观测器进行了热设计，重点论述了日-地L1点的轨道外热流计算和Lymanα日冕仪（LACI）反射镜M2光阱、Lymanα日冕成像仪（LADI）滤光片组件、CCD组件、电箱、观测器主体等部分的热设计方案。通过在探测器对日面设置集热板，将观测器的主动加热功耗降低了73％；选用预埋热管的设计方案解决了对日定向观测导致的框架温差问题。仿真分析结果表明，在对日高温工作、对日低温工作、低温存储、轨道转移等4个极端工况下，观测器各组件温度均满足指标要求。该热设计方案以较低的加热功耗，解决了太阳观测器在轨工作阶段的散热、轨道转移阶段的保温等问题，满足CCD焦面工作温度＜-50℃的要求。

简介：高纯锗(HPGe)探测器是上个世纪70年代发展起来主要用于探测?射线的实验仪器。因其具有能量分辨率高、线性范围宽、探测效率高、性能稳定等优点,被广泛应用于核辐射探测领域中。本文对HPGe的基本结构、探测原理、技术发展以及在大学近代物理实验教学科研中的应用进行了详细阐述。

简介：理论研究发现，在薄型半导体探测器前添加一定厚度的杂散电子过滤片，可以有效过滤探测系统中散射电子，准确测定探测器对7射线诱发电子的电荷收集效率。以电荷收集效率为100％的Si—PIN探测器作为该测量方法理论模拟和实验校验的基准，建立了化学气相沉积（chemicalvapordeposition，CVD）金刚石薄膜探测器对γ射线响应时电荷收集效率的测量方法和系统。研究结果表明：所研制的CVD金刚石薄膜探测器，在600V饱和偏压下，电荷收集效率在常态时为55％，在“priming”状态时可达69％。