简介：利用珀尔帖效应的半导体制冷可以冷却或加热物体，应用于许多场合。半导体制冷器具有压缩式、吸收式制冷机无法替代的优点，随着ＣＦＣ３、ＨＣＦＣ５制冷剂逐渐禁止使用，半导体制冷技术尤其值得我们研究、应用和推广。

简介：通过对稳定情况下半导体制冷器P型元件的工作模型分析,给出了其工作性能的分析解和数值解.结果显示对于单级制冷器,其制冷元件工作在较大温差下时,考虑温度对材料性能的影响是必要的.

简介：

简介：

简介：本实验用惠斯通（Wheatstone）电桥测量了半导体电阻R随温度的变化规律，同时确定了本征半导体材料的禁带宽度△E。

简介：对电阻性的接闪器消雷可能性加以评论。理论分析和初步验证试验均不能支持所谓"消雷器"的"限流功能"。现场应用的证据表明"半导体消雷器"不能提供比常规避雷针更好的保护。

简介：本文对半导体消雷器研究提出几点质疑,并认为半导体消雷器的理论与实验检验不可信,阐述了在自然科学领域里必须贯彻"实践是检验真理的唯一标准"这一原则。

简介：问:半导体消雷器(SLE)的作用是什么?它与导体消雷器的区别在哪里?答:半导体消雷器不是以"中和"为纲,而是以"限流"为纲,即当尖端放电不足以中和雷电而发生对地雷击时,它可以把雷电流限制到原值的千分之四左右,这样就可以把雷电的破坏性予以消灭。问:实际应用中,曾发生过雷击SLE的情况,那么是不是说明SLE是失败的呢?答:如上所述,SLE具有将雷击电流限制

简介：本文报导的高锰酸根半导体传感器（简称MnO4-—ISFET）是以乙基紫—MnO4-缔合物为电活性物质的化学半导体传感器。它是我们在研制钾离子敏感半导体传感器的基础上发展起来的又一化学半导体传感器,是传统的离子选择性电极和场效应晶体管相结合的产物。不仅工艺简单,并且具有半导体传感器的固有特点,如微型化、

简介：介绍了钝化离子注入半导体探测器的工作原理和制备工艺，两种探测器制备的灵敏面积分别为10mm^2和25mm^2，辐射性能测试实验结果表明该探测器具有响应线性度好、噪声低、偏压低等优点，反向偏压为3V时，剂量率监测范围为：1×10^-3～1×10^3cGy／h．

简介：简要介绍了半导体辐射探测器的发展，并介绍了部分新型探测器的结构原理和特点。

简介：文中阐述采取措施消弱或避免油罐附近的直击雷,用理论和运行经验说明半导体少长针消雷器具有良好的防雷效果。

简介：在室温下，该种探测器的暗流达到微安量级，即使在现有最强的γ辐射源下，输出的电流也仅有微安量级，信噪比只能达到约为1。以前使用的PIN半导体探测器，其γ光子灵敏度仅用理论计算值，计算值的可靠性与精度需实验标定检验，成功标定的关键就是如何提高探测器输出的信噪比。由于条件的限制，以前没有实际标定过。现在，利用PIN半导体探测器的暗流与温度有关这一规律，采用半导体制冷器降低探测器环境温度实现降低暗流的目的。

简介：阐述了半导体热电致冷器（TEC）的基本工作原理,分析了TEC线性驱动和PWM驱动的原理以及采用PWM驱动的优点,介绍了PID温度补偿控制的原理,并设计了实验.采用相同的测试条件,对MAX1978、ADN8830和线性功率管进行了性能测试,实验数据表明温度控制电路采用PWM驱动功耗更小,全温（-40～60℃）控制效果更好.

简介：本文介绍了用半导体激光器测定杨氏模量的方法,并给出测量结果.

简介：美国高通公司宣布，与全球领先的芯片代工公司之一，中芯国际集成电路制造有限公司签署战略协议。中芯国际将采用专门的BiCMOS处理技术在其天津工厂为高通公司提供集成电路生产服务。这一合作将综合中芯国际晶片制造能力以及转包能力和高通公司在3G无线产业的领导地位，重点将放在电源管理芯片方面。

简介：据商务部驻以色列经商参处报道，在2004年8月31日以色列出口协会举办的“以色列半导体论坛会”上，以色列塔楼半导体公司总裁CarmelVernia称，中国当前正致力于半导体产业的发展，随着国际半导体企业对华投资的扩大和将生产转向中国，

简介：

简介：<正>目前,全球半导体需求以前所未有的趋势节节高涨,预计全球半导体厂商今年内将投资180亿美元用于建立新厂及扩厂。但据业界人士估计,半导体厂商若要充分供应日益紧张的需求,还须在未来五至六年内投资1500亿美元,成本过高,致使许多小厂商无力投资,因此,半导体供应吃紧的状况将持续到本世纪结束。而这场世纪科技大战的主要竞争者将只剩下摩托罗拉、英特尔及韩国、日本、台湾等国和地区的超级半导体厂商。半导体业的竞争局面从未像今天这样明朗:有钱投资,才能竞争优势。

简介：为适应于光通信网络发展的需要，业界已开发出可调谐半导体激光器。光功能的高效率集成封装可提高耦合效率，还可减少成本。文章介绍了几种集成式可调谐半导体激光器及其封装技术。指出可调谐激光器的发展趋势是集成化和模块化。